2019年06月17日 | STM32 FSMC 外部使用SRAM

SRAM是什么：

SRAM是英文Static RAM的缩写，中文名叫静态存储器，它是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。

目前SRAM的品牌主要有ISSI芯成、cypress赛普拉斯、来杨Lyontek、瑞萨renesas、VTI、JSC韩国济州半导体、NETSOL等多种品牌，分为同步SRA、异步SRAM、高速SRAM等各类存储器。

SRAM用来做什么：

SRAM相当于单片机的“内存：，而内存是计算机中重要的部件之一，它是与CPU进行沟通的桥梁。计算机中所有程序的运行都是在内存中进行的，因此内存的性能对计算机的影响非常大。 内存（Memory）也被称为内存储器，其作用是用于暂时存放CPU中的运算数据，以及与硬盘等外部存储器交换的数据。只要计算机在运行中，CPU就会把需要运算的数据调到内存中进行运算，当运算完成后CPU再将结果传送出来，内存的运行也决定了计算机的稳定运行。

SRAM怎么用：

使用STM32的FSMC功能，将SRAM映射为单片机的的内部地址，进行指针操作。

图中 A0~A18为地址线（即 2^19=512K，1K=1024）； IO0~15 为数据线，总共 16根数据线， CS2 和 CS1 都

是片选信号，不过 CS2 是高电平有效CS1 是低电平有效； OE 是输出使能信号（ 读信号）； WE 为写使能信号； 

UB 和LB 分别为高字节控制和低字节控制信号。 

(1)FSMC-外部SRAM 编程流程分析

1) FSMC 的配置及初始化，使用NE3，也就是SRAM 外部基地址为：0x6800 0000。

2) 初始化扩展SRAM 的IO 引脚，先使能时钟， 将引脚模式设置为复用推挽输出模式，速度为高速。

3) 定义读写缓冲区及它们大小。

4) 编写填充缓冲区函数和两个缓冲区对比函数。

5) 主函数中， 进行数据写入缓冲区测试,然后将数据读出，进行对比。 

/**

  ******************************************************************************

  * 文件名程: bsp_sram.c 

  * 作    者: 硬石嵌入式开发团队

  * 版    本: V1.0

  * 编写日期: 2015-10-04

  * 功    能: 外部扩展SRAM底层驱动实现

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  * 说明：

  * 本例程配套硬石stm32开发板YS-F1Pro使用。

  * 

  * 淘宝：

  * 论坛：http://www.ing10bbs.com

  * 版权归硬石嵌入式开发团队所有，请勿商用。

  ******************************************************************************

  */

/* 包含头文件 ----------------------------------------------------------------*/

#include "bsp/sram/bsp_sram.h"

/* 私有类型定义 --------------------------------------------------------------*/

/* 私有宏定义 ----------------------------------------------------------------*/

/* 私有变量 ------------------------------------------------------------------*/

/* 扩展变量 ------------------------------------------------------------------*/

/* 私有函数原形 --------------------------------------------------------------*/

/* 函数体 --------------------------------------------------------------------*/

/**

  * 函数功能: 初始化外部SRAM

  * 输入参数: 无

  * 返 回 值: 无

  * 说    明：无

  */

void FSMC_SRAM_Init(void)

{

FSMC_NORSRAMInitTypeDef  FSMC_NORSRAMInitStructure;

FSMC_NORSRAMTimingInitTypeDef  readWriteTiming;

GPIO_InitTypeDef  GPIO_InitStructure;

RCC_APB2PeriphClockCmd(RCC_APB2Periph_GPIOD|RCC_APB2Periph_GPIOE|RCC_APB2Periph_GPIOF|RCC_APB2Periph_GPIOG,ENABLE);

RCC_AHBPeriphClockCmd(RCC_AHBPeriph_FSMC,ENABLE);

GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = 0xFF33; //PORTD复用推挽输出 

  GPIO_InitStructure.GPIO_Mode = GPIO_Mode_AF_PP; //复用推挽输出

  GPIO_InitStructure.GPIO_Speed = GPIO_Speed_50MHz;

  GPIO_Init(GPIOD, &GPIO_InitStructure);

GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = 0xFF83; //PORTE复用推挽输出 

  GPIO_Init(GPIOE, &GPIO_InitStructure);

  GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = 0xF03F; //PORTD复用推挽输出 

  GPIO_Init(GPIOF, &GPIO_InitStructure);

GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = 0x043F; //PORTD复用推挽输出 

  GPIO_Init(GPIOG, &GPIO_InitStructure);

readWriteTiming.FSMC_AddressSetupTime = 0x00; //地址建立时间（ADDSET）为1个HCLK 1/36M=27ns

readWriteTiming.FSMC_AddressHoldTime = 0x00; //地址保持时间（ADDHLD）模式A未用到

readWriteTiming.FSMC_DataSetupTime = 0x03; //数据保持时间（DATAST）为3个HCLK 4/72M=55ns(对EM的SRAM芯片)  

readWriteTiming.FSMC_BusTurnAroundDuration = 0x00;

readWriteTiming.FSMC_CLKDivision = 0x00;

readWriteTiming.FSMC_DataLatency = 0x00;

readWriteTiming.FSMC_AccessMode = FSMC_AccessMode_A; //模式A 

FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_Bank = FSMC_Bank1_NORSRAM3;//  这里我们使用NE3 ，也就对应BTCR[4],[5]。

FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_DataAddressMux = FSMC_DataAddressMux_Disable; 

FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_MemoryType =FSMC_MemoryType_SRAM;// FSMC_MemoryType_SRAM;  //SRAM   

FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_MemoryDataWidth = FSMC_MemoryDataWidth_16b;//存储器数据宽度为16bit  

FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_BurstAccessMode =FSMC_BurstAccessMode_Disable;// FSMC_BurstAccessMode_Disable; 

FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignalPolarity = FSMC_WaitSignalPolarity_Low;

FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_AsynchronousWait=FSMC_AsynchronousWait_Disable;

FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WrapMode = FSMC_WrapMode_Disable;   

FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignalActive = FSMC_WaitSignalActive_BeforeWaitState;  

FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteOperation = FSMC_WriteOperation_Enable; //存储器写使能 

FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignal = FSMC_WaitSignal_Disable;  

FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_ExtendedMode = FSMC_ExtendedMode_Disable; // 读写使用相同的时序

FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteBurst = FSMC_WriteBurst_Disable;  

FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_ReadWriteTimingStruct = &readWriteTiming;

FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteTimingStruct = &readWriteTiming; //读写同样时序

FSMC_NORSRAMInit(&FSMC_NORSRAMInitStructure);  //初始化FSMC配置

FSMC_NORSRAMCmd(FSMC_Bank1_NORSRAM3, ENABLE);  // 使能BANK3   

}

/**

  * 函数功能: 在指定地址开始,连续写入n个字节.

  * 输入参数: pBuffer:字节指针

  *           WriteAddr:要写入的地址

  *           n:要写入的字节数

  * 返 回 值: 无

  * 说    明：无

  */

void FSMC_SRAM_WriteBuffer(uint8_t* pBuffer,uint32_t WriteAddr,uint32_t n)

{

for(;n!=0;n--)  

{     

*(vu8*)(Bank1_SRAM3_ADDR+WriteAddr)=*pBuffer;   

WriteAddr++; 

pBuffer++;

}   

}

/**

  * 函数功能: 在指定地址开始,连续读出n个字节.

  * 输入参数: pBuffer:字节指针

  *           ReadAddr:要读出的起始地址

  *           n:要写入的字节数

  * 返 回 值: 无

  * 说    明：无

  */

void FSMC_SRAM_ReadBuffer(uint8_t* pBuffer,uint32_t ReadAddr,uint32_t n)

{

for(;n!=0;n--)  

{     

*pBuffer++=*(vu8*)(Bank1_SRAM3_ADDR+ReadAddr);    

ReadAddr++; 

}  

} 

/**

  * 函数功能: 测试函数，在指定地址写入1个字节

  * 输入参数: addr:地址

  *           data:要写入的数据

  * 返 回 值: 无

  * 说    明：无

  */

void fsmc_sram_test_write(uint8_t data,uint32_t addr)

{    

FSMC_SRAM_WriteBuffer(&data,addr,1);//写入1个字节

}

/**

  * 函数功能: 测试函数，读取1个字节

  * 输入参数: addr:要读取的地址

  *           data:要写入的数据

  * 返 回 值: uint8_t:读取到的数据

  * 说    明：无

  */

uint8_t fsmc_sram_test_read(uint32_t addr)

{

uint8_t data;

FSMC_SRAM_ReadBuffer(&data,addr,1);

return data;

}

/******************* (C) COPYRIGHT 2015-2020 硬石嵌入式开发团队 *****END OF FILE****/

#ifndef __BSP_SRAM_H__

#define __BSP_SRAM_H__     

/* 包含头文件 ----------------------------------------------------------------*/

#include

/* 类型定义 ------------------------------------------------------------------*/

/* 宏定义 --------------------------------------------------------------------*/

//使用NOR/SRAM的 Bank1.sector3

//对IS61LV51216/IS62WV51216,地址线范围为A0~A18

#define Bank1_SRAM3_ADDR    ((uint32_t)(0x68000000))

/* 扩展变量 ------------------------------------------------------------------*/

/* 函数声明 ------------------------------------------------------------------*/   

void FSMC_SRAM_Init(void);

void FSMC_SRAM_WriteBuffer(uint8_t* pBuffer,uint32_t WriteAddr,uint32_t NumHalfwordToWrite);

void FSMC_SRAM_ReadBuffer(uint8_t* pBuffer,uint32_t ReadAddr,uint32_t NumHalfwordToRead);

void fsmc_sram_test_write(uint8_t data,uint32_t addr);

uint8_t fsmc_sram_test_read(uint32_t addr);

#endif  /* __BSP_SRAM_H__ */

地址的理解：

512K 16位   =1M  8位即  1M个字节。那么地址就相当于0x6800 0000 +1024*1024 个字节

例如：testsram=[0]=0x12345678;testsram=[1]=0x87654321;

不论是按照字vu8 vu16 vu32  取值。这个时候不必考虑FSMC如何操作，操作几步指令，只需要按照内存操作即可

测试程序中的一些程序是按照字操作的。