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2019年06月19日 | 高压MOSFET第四种技术AccuMOS®产品 成倍提升行业功率密度
2019-06-19 来源：半导体行业观察
集成电路是人类信息化发展的支柱产业。2018年全球集成电路总产值约4000亿美元，其中功率半导体产业占到了9%。功率半导体作为集成电路中占比最大的行业应用，随着超级结技术发展到理论极限，而复合物宽禁带功率半导体技术又面临成熟度低、成本高等因素推广困难，如何在现阶段有效突破“功率密度”——这一人类不懈追求目标的技术瓶颈是业界面临的挑战。
派微电子经过5年的持续创新研发投入，2019年6月18日正式发布的AccuMOS®产品，很好地解决了上述难题。
AccuMOS®采用自主研发的“全新电场操纵”技术，首次将摩尔定律引入高压功率场效应管（MOSFET）设计，可将Rsp值（Specific Rdson，单位面积电阻）随设计线宽逐步缩小。本次派微电子发布的AccuMOS®产品功率密度已经达到LDMOS和VDMOS业界最好水平 的2倍以上，并且随着线宽的进一步减少，功率密度有望于2020年超越业界超级结最佳水平，进而推动行业变革。
AccuMOS®产品的工作原理
AccuMOS®的工作原理如下图所示：
AccuMOS®架构是在传统的LDMOS架构上叠加了一个IC控制电路。当Gate极上加高电压导通时，IC电路通过电场操纵，在N-Drift区域形成一个比常态高102以上载流子浓度的导通层，从而有效降低MOSFET的Rdson。并且随着设计线宽的降低，IC电路形成的操纵电场会越来越均匀，Rdson也会大幅下降，未来将具有超越超级结技术功率密度的水平。
AccuMOS®产品的性能优势
AccuMOS®的独创设计，带来产品三大优势。
1.AccuMOS®具有业界最优温升曲线,优于超级结、VDMOS 20%以上
采用归一化处理，假设常温25℃时, AccuMOS®、超级结、VDMOS的Rdson是1，那么在工作温度125℃时，AccuMOS®比超级结、VDMOS 的Rdson要低20%以上，具有业界最佳温升性能。
2.AccuMOS®具有业界最佳EMI性能,比超级结、VDMOS低5db以上
AccuMOS®的背面为Source极，直接与金属散热片接触，可将导热系数提高一个数量级，同时维持较低的EMI辐射水平。实际测试结果表明，AccuMOS®的EMI性能比超级结、VDMOS低5db以上。
3.AccuMOS®与控制器IC采用同一工艺平台,可提供单一芯片解决方案
派微电子在推出AccuMOS®产品的同时，同步开发了电源控制IC电路设计所需要的各种低压元器件，提供PDK设计包。IC设计合作伙伴，可以基于AccuMOS®平台，向客户可提供单一芯片解决方案。
AccuMOS®产品的产品系列
AccuMOS®本次发布的产品，覆盖了60W以下,500-800V的MOSFET领域。
AccuMOS®产品的应用领域
AccuMOS®产品可广泛应用于充电器、LED驱动电源、适配器、智能家电、充电桩和通信电源等领域。
派微电子团队秉承“创新拼搏，成事为乐”的企业文化，期待与您的深入合作。期望本次发布的AccuMOS®产品，能为电源行业的发展注入新的动力。
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