2019年07月09日 | 5G代GaAs成长推手台射频代工厂可望受惠摆脱营收衰退

2019-07-09 来源：新电子

5G通讯将带动砷化镓（GaAs）的市场明显成长。根据集邦科技旗下拓墣产业研究院报告指出，现行射频前端元件制造商依手机通讯元件的功能需求，逐渐以砷化镓晶圆作为元件的制造材料，加上5G布建逐步展开，射频元件使用量较4G时代倍增，预料将带动砷化镓射频元件市场于2020年起进入新一波成长期，而台湾射频代工制造业者如稳懋，宏捷科，环宇等也可望搭上此波浪潮，逐渐从营收衰退困境脱身。

目前4G时代的手机通讯频率使用范围已进展至1.8〜2.7GHz的，对传统3G的硅射频前端元件已不敷使用，加上5G通讯市场正步入高速成长期，其使用频段也将更广泛（包含3〜5GHz的，20〜30GHz的），因此无论是4G或5G通讯应用，现行射频元件预计将逐渐被砷化镓取代。

对此，拓墣指出，由于射频前端元件特性，包含耐高电压，耐高温与高频使用等，在4G与5G时代有高度需求，传统如HBT和CMOS的矽（Si）的元件已无法满足，厂商便逐渐将目光转移至的GaAs化合物半导体。而砷化镓化合物半导体凭借本身电子迁移率较硅元件快速，且具有抗干扰，低杂讯与耐高电压等特性，因此特别适合应用于无线通讯中的高频传输领域。

若以目前市场发展来看，受到2018年下半年受到手机销量下滑，中美贸易战影响，冲击的GaAs通讯元件IDM厂营收表现，预估2019年IDM厂总营收将下滑至58.35亿美元，年减8.9％。

然而，随着5G通讯持续发展，射频前端元件使用数量将明显提升，如功率放大器（PA）使用量，由3G时代的2颗，4G的5〜7颗，提升至5G时代的16颗，将带动2020年整体营收成长，预估的GaAs射频前端元件总营收将达64.92亿美元，年增11.3％。

总结来说，随着各国持续投入布建5G基地台等基础设施，预估在2021，2022年将达到高峰，加上射频前端元件使用数量较4G时代翻倍，将可望带动IDM大厂思佳讯（Skyworks的），Qorvo新一波营收成长动能，而台厂射频代工制造业稳懋，宏捷科及环宇等，也将随着IDM厂扩产而取得订单，逐渐摆脱营收衰退的阴霾。

GaAs 5G 砷化镓稳懋

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