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2019年07月22日 | IMEC解析晶体管微缩工艺技术前景
2019-07-22 来源：半导体行业观察
IMEC在Semicon West之前举办了一个技术论坛。我看到了这些论文，并采访了其中三位作者。以下是我认为他们研究的关键点的总结。
Arnaud Furnemont
Arnaud Furnemont的演讲名为“From Technology Scaling to System Optimization”。简单的2D尺寸缩放已经放缓。设计工艺协同优化（DTCO）已导致标准单元高度降低，但随着单元高度降低，鳍片数量也随之减少，因此需要器件工艺优化以保持性能。依靠DTCO来微缩芯片面积仍然很重要，但我们还需要从系统工艺协同优化（STCO）的系统角度自上而下地进行面积微缩。
随着尺寸缩小，每种技术最终都会达到极限，并且需要从2D到3D的过渡。我们已经看到2D NAND转换到3D NAND时会发生这种情况。对于DRAM来说，他不相信D13/ D14节点下的电容器能够继续缩放下去，因此需要3D的解决方案。3D XPoint 存储器需要增加层数，逻辑工艺也必须转换为3D的。图1总结了工艺技术对存储器半节距的限制。
图1.存储器缩放的限制
对于逻辑工艺的缩放，存在以一种比较智能方式：依照功能分区域分工艺制作。最后采用微型TSV工艺和薄型晶圆背面供电方式，将单独制造的SRAM和逻辑芯片集成起来，以提供更高度优化的解决方案，见图2。
Naoto Horiguchi
Naoto Horiguchi发表了一篇题为“Vertical Device Options for CMOS Scaling”的论文。论文的主要观点是，相比于以往水平放置的SRAM，垂直器件可以使SRAM阵列面积缩小，见图3。
图3.垂直晶体管SRAM
而且这项工作和之前的论文相符，因为通过制造仅SRAM阵列，工艺制程相对于完整的逻辑制程得以简化，例如SRAM仅需要大约4个金属互连层，而前沿逻辑制程需要12层或更多。
图4和图5展示了5nm节点级别的垂直SRAM阵列的基本工艺流程。蓝色的工艺步骤是EUV层（注意顶部电极是加粗蓝色字体（Nanowirepillars），但也是EUV层）。
这项工作也发表在VLSI Technology Forum [1]，和通过图4和图5以及VLSI论文的分析可以得到更详细工艺制程的概括如下。
1.沉积N型外延层。
2.使用2个张掩模来制造高掺杂的N和P阱。
3.生长70nm厚的P型沟道外延层。
4.用EUV掩模和蚀刻工艺来形成8nm直径的纳米线柱阵列。蚀刻量是大约100nm接触到高掺杂阱中。
5.用EUV掩模和蚀刻工艺形成多组柱之间的浅槽隔离。
6.填充沟槽，然后回蚀刻氧化物凹槽，这暴露出纳米柱的上部区域以形成栅极。
7.进行化学氧化以产生和界面氧化物，然后进行HfO2和TiN的ALD沉积。
8.沉积钨（W）填充物，CMP平面化，然后进行凹槽蚀刻。
9.EUV掩模图形化和蚀刻以形成栅极，然后进行氧化物填充。
10.EUV掩模图形化，蚀刻和W填充以产生底部栅极接触。
11.EUV掩模图形化，蚀刻和W填充以产生交叉耦合。
12.沉积，图形化和蚀刻阻挡层，然后选择性外延SiB，以形成PMOS的顶部源极/漏极。
13.沉积，图形化和蚀刻阻挡层，然后选择性外延SiP，以形成NMOS的顶部源极/漏极。然后沉积氧化物。
14.EUV掩模图形化，蚀刻和W填充以产生顶部电极。沉积并平坦化ILD氧化物层。
15.EUV掩模图形化，蚀刻和W填充以产生栅极接触。
16.EUV掩模图形化，蚀刻和W填充以产生顶部电极接触。
17.沉积并平坦化氧化物，使用EUV掩模和蚀刻来形成金属1沟槽，然后填充铜并抛光。
18.EUV掩模图形化，蚀刻和W填充用于制作超级通孔。
19.EUV掩模图形化和蚀刻用于制造金属2和通孔2，然后填充铜并抛光。
该流程用于制作垂直SRAM测试器件。完整流程将包括至少两个以上的金属层，并且可能包括用于ESD保护的一些处理。该阵列可以与逻辑芯片和背面配电集成在一起，如图2所示。
Zsolt Tokei
Zsolt Tokei发表了一篇论文名为“3nm Interconnects and Beyond: A toolbox to Extend Interconnect Scaling”。为了继续缩小与电阻- 电容（RC）的互连问题，需要解决成本，工艺漂移和机械稳定性问题。图6总结了之后的方向。
图6.之后的方向
为了更好的布线，传统双大马士革工艺会引入了超级通孔技术。为了降低RC delay，又会采用无阻挡层并且金属间有“气隙”(Air gap)的金属互联工艺(大概是用“半大马士革工艺”制作)。此外，还有可能将薄膜晶体管集成到BEOL中以增加其他功能。
半大马士革工艺流程如下：
1.在电介质膜中图案化并蚀刻通孔开口。
2.用钌（Ru）填充通孔并继续Ru沉积，直到在电介质上形成Ru层。
3.然后将Ru掩蔽并蚀刻成金属线。
4.在金属线之间形成“气隙”。
Ru的底部虽然有Ti粘附层（可能提高电阻值），但是通孔与金属线界面是连续的Ru，这减小了电阻，并且气隙减小了层间电容。Zsolt不愿意透露“气隙”的制作工艺，但我猜可能会是先均匀沉积一种薄膜，然后用另一种沉积来夹断封口并形成“气隙”。
这项技术已经用于制造了世界上第一个21nm节距的金属互连层。图7总结了结果。
图7. 21nm间距互连
图8示出了BEOL中的薄膜晶体管（TFT）并描述了一些应用。
图8. 后段薄膜晶体管
结论
IMEC继续开展尖端研究，以支持持续微缩和改善半导体性能。
史海拾趣
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