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2019年10月16日 | 芯片7nm之后，钴（Co）材料将会大有作为

2019-10-16 来源：TechNews

7 纳米芯片是当今已量产之最先进制程产品，金属材料加入钴（Co）是关键，但钴（Co）真的完全取代原先的铜（Cu）了吗？

人工智慧及大数据时代来临，芯片也必须透过不断微缩提升效能？然而面对7 纳米先进制程，如何生产出效能更高、耗电更少、面积更小，又符合可靠度要求的芯片，是当今半导体制程上的重要课题。

当今，随着摩尔定律，半导体7 纳米先进制程已进入量产阶段，从材料工程上来看，电晶体接点与导线的重大金属材料进行变革，是解除7 纳米以下先进制程效能瓶颈的关键。

这重大的金属材料就是──钴（Co）。然而坊间传言以钴（Co）取代铜（Cu）的真实性如何？

宜特材料分析实验室这次直接实测已量产的7 纳米芯片，带您进入7 纳米的微缩世界。

▲ 图1

降低RC Delay，提升芯片运行速度

在积体电路中，「电阻─电容延迟时间」（RC Delay）是影响半导体元件的速度或性能的重要参数之一。

随着半导体制程推进至7 纳米，不仅金属连线（interconnect）层数越趋增加，导线间的距离也不断微缩；当电子讯号在层数非常多的金属连线（interconnect）间传送时，其产生的「电阻─电容延迟时间」（RC Delay），将严重减低半导体元件的速度。如何降低「电阻─电容延迟时间」（RC Delay）、增加半导体元件运行速度，是一重要课题。

IC 制程微缩，阻障层有相对增加电阻的风险

铜（Cu）和铝（Al）是半导体后段制程（Back End Of Line，BEOL）金属连线（Interconnect）最常使用的金属材料。而铜主要会被用于先进制程的「金属连线」，来自于铜导电性比铝好，不过铜（Cu）原子在介电层的扩散系数远比铝原子大，为防止铜（Cu）扩散在介电层所造成线路短路。所以，在半导体制程，就必须使用更致密的「氮化钽」（TaN），取代柱状晶结构的「氮化钛」（TiN），借此避免铜扩散。

然而，此氮化钽（TaN）比氮化钛（TiN）的电阻系数大很多，相差十倍以上（参见表1），使用氮化钽（TaN）为铜的阻障层，将会有使金属连线电阻增加的风险。

▲ 表1：TaN 及TiN 电阻系数。

金属线上的电阻为「铜线电阻」加「氮化钽（TaN）层电阻」的总和。铜线尺寸大时，氮化钽（TaN）层引起的电阻增加比例不大，可忽略不计。但是当芯片微缩到非常小，促使铜线的尺寸也逐渐缩小时，氮化钽（TaN）层贡献的电阻比例就愈来愈大。宜特材料分析实验室使用并联电阻简化计算氮化钽层电阻贡献度（见表2）。铜线横截面尺寸由200 纳米降到20 纳米，则氮化钽层电阻贡献度约增加大于40 倍。

▲ 表2：氮化钽层电阻贡献度，利用并联电阻简化计算。

然而，在铜（Cu）制程中，因铜的容易扩散的特性关系，所以也不能藉由降低氮化钽（TaN）层的「厚度」来减少电阻，否则就会失去阻障功能。因此在7 纳米IC 制程中，使用新材料取代铜导线或阻障层变成很重要的课题。

降低7 纳米芯片的电阻，金属材料是选用是关键

那该如何减低氮化钽（TaN）层的电阻呢？调整该层的金属材料就成为关键。经研究，发现金属钴（Co）是加入氮化钽（TaN）阻障层的极佳候选材料，钴（Co）不但降低阻障层的电阻，而且可以降低阻障层厚度，一举两得。

双层接触窗设计，让钴（Co）发挥最大效能

金属导线和矽基板上半导体元件之间的连结称为接触窗（contact），主要是靠钨（W）连结，其阻障层材料是氮化钛（TiN）。在铜金属化制程中，如何降低W / TiN 的接触窗的电阻，钴（Co）又成为最佳候选者。但是，用钴（Co）直接完全取代W / TiN 直接和铜接触，则铜和钴容易固溶在一起，造成金属导线电迁移性能会变差。于是有了双层接触窗的制程设计。

实测7 纳米制程芯片，透视钴（Co）是否完全取代铜（Cu）

剖析完为什么要使用钴（Co）的原因后，宜特材料分析实验室进行实测，一起来看看钴（Co）是用在7 纳米制程芯片的那些地方？钴（Co）真的完全取代铜（Cu）了吗？

前期样品制备作业

为了执行分析7 纳米先进制程产品的分析，宜特材料分析实验室采购市售手机相关部品，取得Kirin 980 CPU。由于此CPU 是封装在手机电路板上，必须先进行相关部品的拆解（Tear down），以及相关结构观察的分析工程，包括X 光分析、去锡球、去封装、去胶、红外线定位、研磨、吃酸、CPU / DRAM 双芯片分离等技术，最后终于取得Kirin 980 芯片。

利用TEM 实际观察

宜特材料分析实验室利用穿透式电子显微镜（Transmission electron microscope，TEM），搭配高性能的能量散布X 射线谱术（Energy-dispersive X-ray spectroscopy，EDS / EDX），借此解析7 纳米芯片的前段制程（Front End Of Line，FEOL）及后段制程（Back End Of Line，BEOL）。

宜特材料分析实验室透过TEM 及EDS 观察芯片结构里头第一层（M1）与第二层（M2）金属层，解析7 纳米的鳍状电晶体（FinFET）、闸极（Gate）、接触窗（Contact）（见图2），与相对应钴（Co）及钨（W）（见图3）的成分分布。

▲ 图2：STEM HAADF 影像，显示鳍状电晶体、闸极、接触窗、M1 和M2 等结构。

▲图3：桃红色为钴（Co）成分，草绿色为钨（W）成分，对照图2，即可了解钴和钨在结构里分布的情形。

由图2 及图3 两张图比较，宜特材料分析实验室观察到钴（Co）成为「接触窗」及「阻障层」材料，而且钴（Co）包覆了整个第一层（M1 ）铜金属层的结构，成为阻障层材料。但Co 没有完全取代接触窗的W / TiN，可能是因为接触窗制程与阻障层制程使用不同类型制程，造成Co 与周围材料反应的状况不同，致使接触窗的Co 无法完全取代W/TiN。

结论

由TEM 结果可知，钴（Co）的用途并非取代铜（Cu）。钴用在铜的阻障层，且只有取代一半的接触窗。因此宜特材料分析实验室得以证明钴（Co）在7 纳米先进制程产品，并未完全取代铜（Cu）。

钴 7nm

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