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2019年12月20日 | 三星西安造高端存储芯片占37%,二期项目新增月产能13万

2019-12-20 来源:爱集微

日前,三星西安闪存芯片项目取得重要突破,项目二期第二阶段80亿美元投资正式启动。据西安日报报道,“西安造”的高端存储芯片占到整个三星同类产品的37%,占到全世界同类产品的13%。


西安日报报道指出,三星(中国)半导体有限公司生产的主要产品为3D V-Nand 闪存芯片,目前产品通过韩国总部远销欧美、东南亚等地。三星在西安建设的生产线也是当时世界上最先进的半导体生产线之一,代表着半导体行业最尖端的科技水平。

据悉,三星电子一期投资108亿美元,建成了三星电子存储芯片项目和封装测试项目;二期项目总投资150亿美元,主要制造闪存芯片。

其中,二期项目第一阶段投资约70亿美元,明年3月竣工投产;第二阶段投资80亿美元,2021年下半年竣工。二期项目建成后将新增产能每月13万片,新增产值300亿元,解决上千人就业,并带动一批配套电子信息企业落户,使西安成为全球水平最高、规模最大的闪存芯片制造基地。

在今年10月份,国家发展改革委公布的第一批国家战略性新兴产业集群名单,西安市集成电路产业集群入列。据西安日报此前报道,目前,西安市集成电路产业已进入国家“第一梯队”,拥有设计、晶圆制造、封装、测试完整的产业链。


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