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2020年02月05日 | 三星这次又火了一把,单颗最大容量16GB的三代HBM2E显存问市

2020-02-05 来源:IT之家

日前,三星正式宣布推出名为Flashbolt的第三代HBM2(HBM2E)存储芯片。


第三代HBM2存储芯片单颗最大容量16GB,由16Gb的单Die通过8层堆叠而成,可实现16GB的封装容量,并确保3.2Gbps的稳定数据传输速度。

三星方面表示,新型16GB HBM2E特别适用于高性能计算(HPC)系统,并可帮助系统制造商及时改进其超级计算机、AI驱动的数据分析和最新的图形系统。


三星预计第三代HBM2存储芯片将在今年上半年开始量产。三星将继续提供第二代Aquabolt产品阵容,同时扩展其第三代Flashbolt产品。


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