历史上的今天
今天是：2025年02月11日（星期二）
2020年02月11日 | Vishay 30Vp沟道TrenchFET第四代功率MOSFET，大幅提高功率密度
2020-02-11 来源：EEWORLD
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出新型-30 V p沟道TrenchFET®第四代功率MOSFET---SiSS05DN，器件采用热增强型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212-8S封装，10 V条件下导通电阻达到业内最低的3.5 mW。于此同时，导通电阻与栅极电荷乘积，即MOSFET在开关应用的重要优值系数（FOM）为172 mW*nC，达到同类产品最佳水平。节省空间的Vishay Siliconix SiSS05DN专门用来提高功率密度，占位面积比采用6mm x 5mm封装的相似导通电阻器件减小65 %。
、
日前发布的MOSFET导通电阻比上一代解决方案低26 %，比市场上排名第二的产品低35 %，而FOM比紧随其后的竞争器件低15 %。这些业内最佳值降低了导通和开关损耗，从而节省能源并延长便携式电子设备的电池使用寿命，同时最大限度降低整个电源路径的压降，以防误触发。器件紧凑的外形便于安装在PCB面积有限的设计中。
行业标准面积尺寸的SiSS05DN可直接替代升级5 V至20 V输入电源应用中的现有器件。该MOSFET适用于适配器和负载开关、反向极性保护、电池供电设备电机驱动控制、电池充电器、消费类电子、计算机、电信设备等。
器件经过100 % RG和UIS测试，符合RoHS标准，无卤素。
SiSS05DN现可提供样品并已实现量产，供货周期为12周，视市场情况而定。
上一篇:340亿美元，施乐“强攻”惠普
史海拾趣
|
FPGA/CPLD 的设计思想与技巧是一个非常大的话题，由于篇幅所限，本文仅介绍一些常用的设计思想与技巧，包括乒乓球操作、串并转换、流水线操作和数据接口的同步方法。希望本文能引起工程师们的注意，如果能有意识地利用这些原则指导日后的设计工作， ...… 查看全部问答＞ |
|
环境不好公司减人，失业了:L ，现在的工作真不好找，有招硬件工程师的，主要是做电脑周边数码产品，请推荐下，先谢了。 个人技能：①熟练电脑办公软件及图形软件和文字处理②熟电子产品PCBLAYOUT(多层板布线)软件POWERPCB、PADS2005/2007、PROTEL9 ...… 查看全部问答＞ |
|
今天考研就结束了，不管结果如何，很多人都可以暂时解脱了。 有个朋友辞了工作专门准备考研，EEWORLD一位同事的男朋友也在潜心考研，真的希望他们付出的能够有收获。… 查看全部问答＞ |
|
目录 简介--------------------------------------------------------3 电源设计中的问题以及测量要求----------------------3 示波器与电源测量--------------------------------------3 开关电源基础--------------------------------------- ...… 查看全部问答＞ |
|
刚开始接触嵌入式驱动的学习,有点迷惑,不知道怎么去下手,想问下linux驱动程序的开发环境是什么啊?我写的嵌入式驱动程序在什么地方运行啊?是不是有2中方法? 一是用gcc和gdb来进行开发吗? 二是利用ARM提供的开发环境(用Code Warrior和AXD)来开发吗? ...… 查看全部问答＞ |
|
基于LM3Sx9xx(With Net)的带RJ45接口的核心模块 本核心模块是基于LM3S6911\\6916\\8962及其引脚兼容芯片而设计,核心电路及网络接口(RJ45)已全部集成到模块之上,并将芯片GPIO及电源引脚引出; 模块采用双侧双排针对外连接而出,各排针间为标准2.54或2.54的整数倍间距,方便嵌入到各类板上应用,以增加 ...… 查看全部问答＞ |