2020年05月07日 | MSP430F149内部Flash操作

一般，在单片机中的Flash存储器用于存放程序代码，属于只读型存储器。而在MSP430些列的单片机中，都可以通过内置的Flash控制器擦除或改写任何一段的内容。另外，msp430的单片机内部还专门留有一段Flash区域(information memory)，用于存放掉电后需要永久保存的数据。利用430内部的Flash控制器，可以完成较大容量的数据记录、用户设置参数在掉电后的保存等功能。

1. 硬件介绍：

   要对Flash读写，首先要了解MSP430的存储器组织。430单片机的存储器组织结构采用冯诺依曼结构，RAM和ROM统一编址在同一寻址空间中，没有代码空间和数据空间之分。

2. 
   

   一般430的单片机都统一编址在0-64k地址范围中，只有少数高端的型号才能突破64k（如：FG461x系列）。绝大多数的msp430单片机都编址在64kB范围内。地址的大概编码方式如下：

   可以通过MERAS、ERASE 位来设置擦除的模式：段擦除，主Flash擦除，全部擦除。

3. 
   

   对要擦除段内的一个地址空写入启动擦出周期：空写入可以启动时序发生器和擦除操作。空写入后BUSY位立即变高直到擦除周期结束，这一位变为低(0)。BUSY, MERAS和 ERASE位在擦除周期结束后会自动复位。擦除周期的时间和要擦出的Flash大小无关，每次擦除的时间对于MSP430F1xx系系列单片机来说，所需时间是一样的。擦除的时序如下：

   从RAM中启动擦除操作：任意擦除周期都可以从RAM启动，这时CPU不再暂停而是继续从RAM中运行接下来的程序。CPU可以访问任何Flash地址之前，必须检查BUSY位以确定擦除周期结束。如果BUSY = 1访问Flash，这是一个访问冲突，这时ACCVIFG将被设置，而擦除的结果将是不可预测的的。

   从RAM中启动擦除操作时，过程如下：

   写Flash操作：写入的模式由WRT和BLKWRT位来确定：

   BLKWRT      WRT         Write Mode
   0           1           Byte/word write
   1           1           Block write

   这两种模式中块写入大约是字或字节写操作时的两倍快，因为在块写入完成之前，变成电压一直维持直到块写入完成。同一个位置不能在擦除周期之前写入两次或以上，否则将发生数据损坏。写操作时，BUSY位被置1，写入完成后，BUSY被自动清零。如果写操作是从RAM发起的，在BUSY=1时，程序不能访问Flash，否则会发生访问冲突，置位ACCVIFG，Flash写入操作不可以预料。

   字或字节写入：字或字节写入可以从Flash内部发起，也可以从RAM中发起。如果是从Flash中启动的写操作，时序将由Flash控制，在写入完成之前CPU运行将被暂停。写入完成后CPU将继续运行。

   操作时序如下：

   

   若是从RAM中启动写Flash，程序将继续从RAM中运行。CPU再次访问Flash之前必须确认BUSY位已经清零，否则会发生访问冲突，置位ACCVIFG，写入的结果将不可预料。

   字或字节写入模式下，内部产生的编程电压时适用于完整的64个字节块的写入
   In byte/word mode, the internally-generated programming voltage is applied
   to the complete 64-byte block, each time a byte or word is written, for 32 of the
   35 fFTG cycles. With each byte or word write, the amount of time the block is
   subjected to the programming voltage accumulates. The cumulative
   programming time, tCPT, must not be exceeded for any block. If the cumulative
   programming time is met, the block must be erased before performing any
   further writes to any address within the block.

   从Flash发起写字节或字时：

   

   ; Byte/word write from flash. 514 kHz < SMCLK < 952 kHz
   ; Assumes 0FF1Eh is already erased
   ; Assumes ACCVIE = NMIIE = OFIE = 0.MOV #WDTPW+WDTHOLD,&WDTCTL      ; Disable WDTDINT ; Disable interrupts
   MOV #FWKEY+FSSEL1+FN0,&FCTL2    ; SMCLK/2MOV #FWKEY,&FCTL3               ; Clear LOCKMOV #FWKEY+WRT,&FCTL1           ; Enable writeMOV #0123h,&0FF1Eh              ; 0123h −> 0FF1EhMOV #FWKEY,&FCTL1               ; Done. Clear WRTMOV #FWKEY+LOCK,&FCTL3          ; Set LOCK...                             ; Re-enable WDT?EINT                            ; Enable interrupts

   从RAM中启动写入操作时：

   

   ; Byte/word write from RAM. 514 kHz < SMCLK < 952 kHz
   ; Assumes 0FF1Eh is already erased
   ; Assumes ACCVIE = NMIIE = OFIE = 0.MOV #WDTPW+WDTHOLD,&WDTCTL      ; Disable WDTDINT                            ; Disable interruptsL1 BIT #BUSY,&FCTL3             ; Test BUSYJNZ L1                          ; Loop while busyMOV #FWKEY+FSSEL1+FN0,&FCTL2    ; SMCLK/2MOV #FWKEY,&FCTL3               ; Clear LOCKMOV #FWKEY+WRT,&FCTL1           ; Enable writeMOV #0123h,&0FF1Eh              ; 0123h −> 0FF1EhL2 BIT #BUSY,&FCTL3             ; Test BUSYJNZ L2                          ; Loop while busyMOV #FWKEY,&FCTL1               ; Clear WRTMOV #FWKEY+LOCK,&FCTL3          ; Set LOCK...                             ; Re-enable WDT?EINT                            ; Enable interrupts