2020年06月18日 | 安世半导体2020年首发氮化镓新品，透露了哪些信息？

2020-06-18 来源：电子发烧友网

最近，闻泰科技发布公告称将进一步收购安世剩余股权，并将增资为安世半导体进行工艺升级等项目。而在年初，安世半导体也任命了张学政为首席执行官。这家以汽车用功率半导体而著称的公司，在第三代半导体氮化镓的技术和产品推进上，又有了新的动作。

安世每年交付900多亿件、15000种产品，闻泰进一步收购并计划扩产

2019年安世半导体的年销售额达到14.3亿美元，公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护器件、MOSFET器件、氮化镓场效应晶体管(GaN FET)以及模拟IC和逻辑IC，占全球市场份额为14.2%。每年可提供超过15000种产品，每年新增800余种产品。

Nexperia每年可交付900多亿件产品，产品符合汽车行业的严苛标准。安世的产品着眼于汽车、微型化、能效以及保护等当下与未来的挑战。

安世拥有自己的2家前道和3家后道制造厂，2家前道工厂分别位于德国汉堡，英国曼彻斯特。3家后道工厂分别位于中国广东，菲律宾卡布尧，马来西亚芙蓉市。超过12000名员工，为客户提供全球支持。

闻泰科技在今年一季报并公告称拟收购安世剩余20%的股权，安世集团整合进一步加强，公告定增加支付现金的形式收购少数股东权益，交易完成后闻泰将持有安世集团98.23%的股权。

今年3月月，Nexperia对外宣布，现任Nexperia董事会主席的张学政将担任首席执行官。

另外，闻泰拟募资用于安世中国先进封测平台及工艺升级项目。

安世发布第二代氮化镓GaN FET，主打工业和汽车领域

2019年安世进入高压宽带隙半导体市场，采用高电子迁移率晶体管技术，采用级联结构的氮化镓技术助力工程师简化应用设计，无需复杂的驱动和控制。

今年6月，新的氮化镓技术采用了贯穿外延层的过孔，减少了缺陷并且芯片尺寸可缩小约24%。TO-247 封装的新器件，导通电阻RDS（on）降低到仅 41mΩ（最大值，25℃的典型值为 35mΩ），同时具有高的栅级阀值电压和低反向导通电压。CCPAK封装的新器件，将导通电阻值进一步降低到39mΩ（最大值，25℃的典型值为 33mΩ）。两种封装的新器件均符合 AEC-Q101 标准，可满足汽车应用的要求。

Nexperia 的 CCPAK贴片封装采用了创新的铜夹片封装技术来代替内部的封装引线。这样可以减少寄生损耗，优化电气和热性能，并提高可靠性。CCPAK封装的氮化镓器件提供顶部或底部散热两种配置，使其更通用，并有助于进一步改善散热。

650V TO-247封装的GAN041-650WSB 和 CCPAK 封装的 GAN039-650NBB目前均可提供样品。

安世半导体MOS 业务集团大中华区总监李东岳先生分析说，采用级联结构的氮化镓技术，相当于串连一个30伏的MOS管，可以做到常态关断，使用级联可以较容易将开启电压优化到4伏，相较于1.5伏更容易抗干扰。第二代GaN FET首先将应用于工业领域，2021年可提供AEC-Q101认证的器件。

安世半导体MOS 业务集团大中华区总监李东岳先生

工业应用方面覆盖，服务器和电信电源的同步整流器，提供高端电源所需的高效率和高功率密度，比如80+钛金牌电源单元；电池储能和不间断电源，增加功率密度，并减小输出滤波器尺寸；还有，伺服驱动器，输出电流波形改善，更低的电机损耗和噪音。

GaN是这些应用的首选功率器件，因为GaN FETs使系统以更低的成本达到更高的效率、更好的热性能和更简单的开关拓扑。在汽车领域，这意味着车辆行驶里程更长，而这正是所有电动汽车消费者最关心的问题。现在，GaN即将取代基于硅的IGBT和SiC，成为插电式混合动力汽车或纯电动汽车中使用的牵引逆变器的首选技术。

GaN能超越基于硅的IGBT和SiC的另一个优势在于制造产业链的成熟度。李东岳分析，基于硅基的氮化镓器件可以用硅产线的生产设备，而碳化硅需要专门的设备，且原材料生产比较复杂。在未来电动和混动汽车产能快速上升的时候，氮化镓的器件更容易上量，扩产灵活，生产工艺更简单，成本也更有优势。车规级GAN器件目前市面上还比较少，安世半导体凭借多年车规级器件的管理和制造工艺经验，能够率先提供这一器件。

功率器件氮化镓安世半导体

上一篇:坚决不用激光雷达，特斯拉和传统造车想法为什么不一样？

下一篇:远超特斯拉：新一代宝马电子架构分析（续）