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2020年09月10日 | pic中断特别说明

2020-09-10 来源:eefocus

在调试产品W660-MODBUS过程中发现,程序工作在偶然情况下会工作异常,经过将近一个礼拜的追踪,发现PIC中断有一下两个怪异特性:


在刚进入中断时就应该清除中断标志,如果在最后返回之前才清除标志,会导致同一个中断嵌套进入。但是只有低优先级中断会存在这个情况。当低优先级中断刚进入时,没有清除中断标志--高优先级中断发生,打断低优先级中断--高优先级中断结束--返回至被打断的低优先级中断,但是此时如果低优先中断标志没有被清除,而且此时被打断的低优先级中断条件再一次满足,则此时会从头先执行新发生的中断,此中断结束后再接着执行被打断的中断。这会导致同一个中断嵌套进入,导致被保存的变量丢失。


在中断服务程序中不能软件使能中断。在进入中断服务程序时,PIC内部会禁止中断,高优先级中断会自动清除高优先级使能标志,低优先级中断会自动清除低优先级使能标志。在中断结束后,PIC内部又会自动设置中断使能标志。如果在服务程序中手动设置高优先级使能标志会导致程序异常。(表现之一:中断服务程序进入之前保存的变量值会被覆盖,跟同一中断嵌套的造成的异常类似)

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故事二:政府机构项目的深度参与

GeneSiC与全球多个政府机构紧密合作,参与了众多前沿技术研发项目。例如,为美国能源部(DOE)开发的6.5kV SiC晶闸管用于储能系统,以及为NASA金星探测任务提供的500°C单片集成SiC超结晶体管JBS二极管(MIDSJT)。这些项目不仅展示了GeneSiC在极端环境下的技术实力,还推动了SiC技术在关键领域的广泛应用。通过不断的技术创新与合作,GeneSiC在提升全球科技水平方面做出了重要贡献。

故事三:电动汽车市场的深度布局

随着电动汽车市场的快速崛起,GeneSiC迅速调整战略,将SiC技术应用于电动汽车的关键部件中。其高性能的SiC MOSFET和二极管不仅提升了电动汽车的充电效率和续航里程,还降低了电池系统的热损耗和重量。此外,GeneSiC还为快速充电站开发了高效、稳健的解决方案,如SK Signet的350kW快速充电器便采用了GeneSiC的SiC二极管,为电动汽车的快速普及提供了有力支持。

故事四:工业领域的广泛应用

在工业领域,GeneSiC的SiC技术同样展现出强大的竞争力。以埃克西德技术为例,该公司采用GeneSiC的SiC功率半导体,确保了其下一代工业材料处理设备的高频快速充电器的可靠性、安全性和易用性。GeneSiC的SiC MOSFET和MPS肖特基二极管在高频、大功率的应用场景下表现出色,为工业自动化和智能制造提供了强有力的技术支持。

故事五:与纳微半导体的战略合并

2022年,氮化镓(GaN)功率芯片领导者纳微半导体宣布收购GeneSiC Semiconductor,这一战略合并标志着两家公司在下一代功率半导体领域的强强联合。合并后的公司不仅拥有全面的SiC和GaN技术组合,还通过资源整合和市场拓展,进一步巩固了其在全球功率半导体市场的领先地位。GeneSiC的丰富技术积累和纳微半导体的市场渠道优势相结合,为双方带来了新的增长动力和市场机遇。

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