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2020年10月12日 | FLASH操作程序设计与存储器结构
2020-10-12 来源：elecfans
1，FLASH操作程序设计
下面我们来学习编程的内容。在学习编程前，我们要先了解一下FLASH存储模块的控制寄存器。
FLASH存储模块的所有操作都通过控制相关的控制寄存器来实现的。包括FCTL1、FCTL2、FCTL3三个控制寄存器，其中FCTL1主要包含对FLASH的编程和擦除操作的控制位；FCTL2主要定义进入时序发生器前的时钟源和分频系数；FCTL3保存FLASH存储模块的一些标志位。
2， FCTL1控制寄存器
FWKEY：FLASH存储模块的安全键值。共8位，对FLASH操作时应该向其中写入对应的安全键值，否则会引起PUC信号以及KEYV信号。0x96：读取时的安全键值；0x5A：写入时的安全键值。
BLKWRT：段编程控制位。当需要对某一个段或者几个段连续编程时，使用段编程方式可以加快编程的速度。1：使用段编程方式；0：不适用段编程方式。
WRT：编程控制位。当需要对FLASH编程时，必须对该位置位，否则会导致ACCVIFG（非法访问中断标志位）置位。1：允许对FLASH编程；0：禁止对FLASH编程。
MERAS：多段擦除控制位，当需要擦除多段时，对改为置位。1：擦除多段；0：不擦除。
ERASE：但段擦除控制位，当需要擦除一个段时，对该位进行置位。1：擦除一个段；0：不擦除。
3，FCTL2控制寄存器
FWKEY：FLASH存储模块的安全键值。共8位，对FLASH操作时应该向其中写入对应的安全键值，否则会引起PUC信号以及KEYV信号。0x96：读取时的安全键值；0x5A：写入时的安全键值。
FSSEL1~0：选择FLASH存储模块的时序发生器的时钟源。3：选择SMCLK；2：选择SMCLK；1：选择CMLK；0：选择ACLK。
FN5-0：为时序发生器的时钟源选择分频系数，最终的分频比为32*FN5+16*FN4+8*FN3+4*FN2+2*FN1+FN0+1.
4， FCTL3控制寄存器
FWKEY为安全键值，和前两个一样，我们不在赘述。
EMEX：紧急退出位。对该位置位能够紧急停止对FLASH的操作。1：紧急停止FLASH操作；0：不操作。
LOCK：FLASH锁定位。如果在该位置位时对FLASH进行擦除和写入操作会导致非法访问，对应的标志位ACCVIFGF置位。1：锁定FLASH存储模块，锁定时可读，但不可擦除和写入；0：不锁定FLASH存储模块，可读可写可擦除。
WAIT：等待标志位，用户通过读取该位的状态已获得FLASH存储器和段编程状态。1：段编程有效；0：段编程操作正在进行。
ACCVIFG：非法访问标志位。1：非法访问；0：没有非法访问。
KEYV：非法安全键值标志位。1：错误安全键值；0：正确的安全键值。
BUSY：FLASH存储模块忙标志位。1：当前FLASH存储模块忙；0：当前FLASH存储模块空闲。
5，单字节写入操作
程序时对单字节写入的操作，向Seg_A中的地址0x1090写入数据0xAA。从这个程序段，我们可以看出向FLASH写入的数据的基本流程，大部分与擦除还是很相似的。需要特别注意的是，在这段程序中我们省略了检测BUSY状态位的环节，并且在实际情况下，只要用户程序不是频繁的、交叉的操作FLASH存储模块，一般是需要检测BUSY位的。
对于多字节的写入操作，其基本操作方式单字节类似，只需要每次修改FLASH地址指针，并写入对应的数据即可。
6，段擦除操作
MSP430系列MCU尽管可以向FLASH存储模块的任意地址写入数据，但是擦除操作只能以段位基本单位操作，即最少只能擦除Seg_A和Seg_B段。从示例的程序中,可以看出段擦除的基本流程:除了启动擦除操作之前的基本设置，擦除之后的基本设置之外，还需特别注意的是：向要擦除的段（程序中位Seg_A）任意一个地址中写入任意数据以启动擦除操作。同样，这是一个简化的程序段，也没有检测BUSY等标志位。
这是一个非常经典的TI的关于FLASH存储模块的程序，在几乎所有的关于MSP430的书籍等资料上都可以看见他的身影。这段程序包含了擦除，段写入、段复制等操作，是一个非常好的例子。
需要特别注意的是：前面的程序仅仅是一个示例，当你在很复杂的程序中操作FLASH前，一定要先禁止所有的中断并禁用看门狗，切记切记。
史海拾趣
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