据报道，意法半导体日前宣布，将收购总部位于法国Marly-le-Roy的SOMOS Semiconductor（“ SOMOS”。据意法半导体方面介绍，这是一家成立于2018年的无晶圆厂半导体公司，专门研究基于硅的功率放大器和RF前端模块（FEM）产品。意法半导体方面指出，通过此次收购，公司能够引入物联网和5G市场的专业人员、前端模块的IP和路线图。公司第一个产品-NB-IoT / CAT-M1模块-已通过认证，并将成为连接RF FEM产品新路线图的开始，此外，SOMOS的技术和资产还将支持意法半导体现有的5G基础设施RF前端模块路线图的开发。从SOMOS的官网我们可以看到，该公司能提供业界领先的RF功率放大器，RF前端和RF开关产品，并为4G和5G IoT和智能手机应用提供设计。SOMOS指出，利用其独特的IP和专业知识来实施和交付具有前所未有性能的CMOS功率放大器，具有极低谐波的开关以及业界最小尺寸的RF前端。他们向客户提供最先进的组件和IP，并提供定制设计服务。无独有偶，在ST推进射频产品线的同时，NXP也在加紧他们在这个领域的布局。
半导体大厂恩智浦（NXP Semiconductors）宣布正式启用位于美国亚利桑那州钱德勒（Chandler）的6吋射频氮化镓（GaN）晶圆厂，此为美国境内专注于5G射频功率放大器的最先进晶圆厂，现已通过认证，首批产品将持续推出上市，预计至2020年底达到产能满载。恩智浦透过全新6吋晶圆厂以及其在功率密度、增益和线性化效率方面的20年氮化镓（GaN）开发专业知识，引领5G蜂巢基础建设的扩展，恩智浦预期，该最先进的晶圆厂将成为枢纽，将与同地点的研发团队紧密合作，加速推动创新，且有助于支援5G基站和先进通讯基础设施在工业、航空航太和国防市场的扩展。恩智浦半导体总裁暨执行长Kurt Sievers在主题演讲中表示，今日象征着恩智浦的重要里程碑。透过在亚利桑那州建立此先进厂房与吸引关键人才，让我们能够更聚焦于发展氮化镓技术，将其作为推动下一代5G基站基础建设的一部分。随着5G的发展，射频解决方案中每个天线所需的功率密度呈指数级增长，但仍需保持相同的主机壳尺寸，并降低功耗。氮化镓功率电晶体已成为满足这些严格要求的新黄金标准，能够大幅提高功率密度和效率。恩智浦拥有近20年的氮化镓开发专业知识和广泛的无线通讯产业知识，将使其引领下一波5G蜂巢扩展浪潮。恩智浦已针对氮化镓技术进行深度最佳化，改善半导体中的电子陷阱（electron trapping）问题，藉由一流的线性度提供高效率和增益，致力为恩智浦的客户生产最高品质的氮化镓装置。恩智浦长期客户爱立信（Ericsson）网路开发部主管Joakim Sorelius表示，在功率放大器在无线电技术中发挥重要的作用，与爱立信近期在美投资类似，很高兴看到恩智浦在半导体制程开发方面进行投资，并将继续致力为未来的高要求无线电网路提升射频系统效能。恩智浦半导体执行副总裁暨无线电功率业务部总经理Paul Hart表示，恩智浦团队向来致力于建造世界上最先进的射频氮化镓晶圆厂，该晶圆厂的能力可扩展至6G甚至更高。
ST和NXP之所以一直在加强在RFFE方面的布局，这与这个市场巨大的商机有关。根据Yole Développement（Yole公司）预测，从 2020 年至 2025 年间，射频前端将以保持11%的 CAGR增长，截至 2025 年市场规模将达到 254 亿美元。而其中五家主要公司：村田制作所、思佳讯、博通、Qorvo 和高通占据了市场业务总量的近 80%。由此可以看到ST和NXP的发力背后的诱因。
