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2020年12月04日 | 陆敏：危机中孕育着机会，第三代半导体国产化进程加速
2020-12-04 来源：爱集微
今日宽禁带半导体联盟秘书长陆敏博士发表了主题为“SiC和GaN功率电子技术及产业发展趋势”的演讲。
陆敏博士指出近年来政府高度重视集成电路，扶持政策落地。政府内容涉及产业链培育、研究扶持、人才培养、项目招商、国产激化等多个方面。在国家政策的支持下，第三代半导体迎来了大发展。
2019年电力器件市场全球5.8亿美元，SiC 5.0亿美元，GaN 0.8亿美元。碳化硅衬底全球18万片，市场规模为2亿美元。中国市场为6万片。
陆敏博士介绍，SiC市场正在以40%/年的增长率增长，预计2030年市场规模将达到202亿美元。GaN市场的年增长率同样为40%，2030年市场规模将达到27亿美元。
陆敏博士并指出，近年来国产产能不断增加，2019年，Si基GaN外延片折算6英寸产能约为20万片/年，Si基GaN器件折算6英寸产能约为19万片/年.
最后，陆敏博士表示，第三代半导体在危机中孕育机会，国产化恰逢其时。中美贸易战、半导体低迷期、新冠疫情、油价和股市波动、第三次产业转移受挫等都对产业发展造成了不利的影响，不过新应用市场的快速崛起、各级政府加大精准支持（顶层设计）、内循环良性发展也给国产替代带来了新机遇。
史海拾趣
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