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2020年12月07日 | 中芯国际：第二代FinFET已进入小量试产，逻辑面积大大缩小
2020-12-07 来源：集微网
12月4日，有投资者在互动平台提问“请问近来公司7纳米产品生产研发进展如何？在国内外将产生怎样的影响？”对此，中芯国际回复“公司第一代FinFET 14nm已于2019年四季度进入量产，第二代FinFET已进入小量试产。”
在中芯国际2019第四季度财报会议上，梁孟松博士透露了中芯国际下一代“N+1”工艺的详细数据。
梁孟松博士透露，中芯国际的下一代N+1工艺和14nm相比，性能提升了20%，功耗降低了57%，逻辑面积缩小了63%，SoC面积减少了55%。所以在功率和稳定性方面，N+1和7nm工艺非常相似，唯一区别在于性能方面，N+1工艺的提升较小，市场基准的性能提升应该是35%。所以，中芯国际的N+1工艺是面向低功耗应用领域的。
美国时间12月3日，美国国防部发布公告，将中国建设科技集团、中国国际工程咨询公司、中国海洋石油集团有限公司、中芯国际列入“共产主义中国军方企业”名单。中芯国际在北京时间12月4日发布风险提示称：“本公司正在评估影响，请各位投资者注意投资风险。”
对此，外交部发言人华春莹在例行记者会上就美方将中海油和中芯国际等中国公司列入“黑名单”一事表示，中方坚决反对美方无端打压中国企业，并且已经多次就此表明了中方严正立场，美方的所作所为严重违背美方一贯标榜的市场竞争原则和国际经贸规则，必将严重损害美国国家利益和自身形象。
史海拾趣
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