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2020年12月11日 | 两个月内,铠侠陆续宣布将新建两个3D NAND Fab

2020-12-11 来源:EEWORLD

国外媒体报道,铠侠本周宣布了计划通过新建一个名为K2的新工厂来扩展其Kitakami生产基地。这是铠侠在不到两个月的时间里宣布的第二个工厂,这表明该公司对未来几年对3D NAND存储器的需求增长充满信心。如果铠侠的扩张计划如期进行,那么两个新工厂将在2023年至2024年完成。


铠侠及其合作伙伴Western Digital正在其位于日本岩手县北上市附近的K1晶圆厂提高96层BiCS 3D NAND存储器的产量。根据发布的规模,Fab K1是世界上规模最大的联合经营的半导体工厂,其洁净室分为四期建成。两家公司于今年早些时候在K1一期设施中开始了3D NAND的商业生产,预计过渡期间的数量将会增加。同时,随着时间的推移,K1将增加另外三期洁净室。


事实证明,铠侠希望生产更多的3D NAND,因此在附近厂区的13.6万平方米的土地上准备建设Fab K2。工程前期准备工作将于2021年春季开始,预计将在2022年春季完成。如果铠侠决定在2022年初开始建造该工厂,那么该建筑将在2023年初完成并为设备搬入做好准备。 通常,装备无尘室和开始商业生产之间需要1至1.5年,因此,如果铠侠遵循其典型的晶圆厂建造时间表,K2可能会在2024年开始运营。


应当指出,铠侠尚未宣布其K2设施的确切时间表。这家日本公司还必须与其合作伙伴Western Digital商谈对新设施的共同投资条款。


铠侠和Western Digital的Fab K1占地约15万平方米,包括各种支持和行政大楼以及生产设施本身。 Fab K2厂房面积较小,但是由于不需要自己的行政大楼,因此生产设施可能与K1相似。


根据TrendForce的数据,在2020年第三季度,铠侠和Western Digital控制了35.2%NAND闪存供应量,略领先于三星,三星拥有33.1%的收入份额。


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