2021年01月15日 | 快速学Arm(41)--外部存储器控制器(2)

2021-01-15 来源：eefocus

我们再来看一下EMC的结构图:

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我们再看看EMC的基本操作过程:

1.首先是使能EMC:

在使用EMC前一定要先在功率控制寄存器中将其使能:

PCONP=PCONP|0x00000800; //第11位置1

接下来,设置EMC控制寄存器EMCControl的第0位置1,使能EMC:

EMCControl=0x00000001;

2.引脚连接:

将相关的引脚连接到EMC模块.

PINSEL6=0x0000 5555; //选择D0~D7脚

PINSEL8=0x5555 5555; //选择A0~A15脚

tmp=PINSEL9;

tmp&=&0x0FF0 FFFF;
PINSEL9=tmp|0x5009 0000; //选择-OE,-WE,-CS0,-CS1脚

3.时序设置:

通常情况下,我们再操作外部存储器时分为读,写两个操作.

在读操作的过程中,我们需要配置下面的寄存器

a.静态存储器输出使能延时寄存器(EMCStaticWaitOen0-1);

b.静态存储器读延时寄存器(EMCStaticWaitRd0-1);

c.静态存储器页模式读延时寄存器(EMCStaticWaitPage0-1);

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通过设置静态存储器输出使能延时寄存器(EMCStaticWaitOen0-1)可改变片选信号优先到输出有效的延时t;

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通过静态存储器读延时寄存器(EMCStaticWaitRd0-1)可改变从片选信号有效到器件输出允许失效之间的延时t.

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页模式下,一次片选有效期内可联系读/写4个字节,在这过程中,-WE和-OE信号保持不变,只有地址信号发生变化,此时不能理解读取数据线上的数据,而不像等待一段时间t.
EMCStaticWaitPage的作用就是设置这段等待时间t的长短.

要注意的是,如果t值太大,读的速度会变慢,而t值太小,则读取可能会出错.

写操作的时序设置,我们需要配置的寄存器有:

静态存储器写使能延时寄存器(EMCStaticWaitWen0-1);

静态存储器写延时寄存器(EMCStaticWaitWr0-1);

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通过设置静态存储器写使能延时寄存器(EMCStaticWaitWen0-1)改变从"片选有效到写使能信号有效"之间的延时时间t.

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通过设置静态存储器写延时寄存器EMCStaticWaitWr0-1)改变片选有效到写使能信号失效之间的延时时间t.

Arm 外部存储器控制器