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2021年01月27日 | 芯聚能：第三代半导体尤其是SiC或在2021年爆发
2021-01-27 来源：爱集微
2020半导体行业经历了全球疫情和国际形势的复杂化和不确定性，而2021年行业会如何发展，广东芯聚能半导体有限公司（以下简称“芯聚能”）给出了答案。
产能短缺会贯穿2021
芯聚能认为，由于新能源汽车的快速发展及绿色能源产业的快速发展，加上数据中心的快速发展，功率半导体的总体需求进一步快速增加，为整个功率半导体产业带来发展机遇。中国大陆的功率半导体一定会有更好的发展，抢占更大的市场份额。
芯聚能是面向新能源汽车及一般工业产品功率芯片设计，功率模块开发制造的高科技技术企业，专注于IGBT/SiC功率模块及功率器件研发、设计、封装、测试及营销业务，为客户提供完整的解决方案。
面对2020年整个集成电路晶圆制造产能的紧缺，芯聚能表示该情况可能会贯穿2021年，这与某些产品的产能紧张和下游恐慌性囤货都有一定的关系。此外由于晶圆厂产能紧张，很多小型设计公司都需要预付全款产能预定产能，也加剧了小型设计公司的资金紧张状况，加上晶圆厂产能向大公司的进一步倾斜，小的设计公司在2021年一定会更加艰辛。
SiC会迎来爆发的时机
随着我国新能源汽车的利好政策越来越多，而市场也将越来越开放，均有利于整个车用功率半导体的发展。
自特斯拉在引入SiC MOSFET到主驱上并迅速量产后，国内新能源汽车也开始跟进，且得到了市场的广泛接受。为此，SiC器件的“杀手级应用”诞生并且确认为新能源汽车。
作为关键的第三代半导体材料，SiC在过去两年发展迅速，起初SiC衬底供应不足，为了解决这个问题，Cree和数个关键公司签署了长期供货协议，并在2019年5月宣布未来五年投资10亿美元，扩展衬底生产线。此外英飞凌收购了具有衬底制造技术的Siltectra，ST收购了Norstel55%的股权等。
“随着衬底产能的进一步扩大，缺陷密度进一步降低，生产效率进一步提高，第三代半导体，特别是SiC一定会在2021年有个非常好的爆发。”芯聚能认为。
相信随着SiC晶圆厂的产量进一步提高，将会吸引国际头部大公司加入竞争。对于SiC器件，特别是MOSFET价格会进一步降低，这也为SiC器件拿下更多的市场份额创造了条件。芯聚能总裁周晓阳表示，目前车用SiC器件领域会有越来越多玩家进入，同时随着行业快速发展，整个市场布局也是瞬息万变。
周晓阳认为，相比硅材料，SiC可实现更高结温，更高频率，更高耐压，这样就给电动汽车更有效的电驱控制，提高续航里程，减少电池消耗，也可减少整个电驱系统的体积与重量；可用于速度更快、容量更高的的车载充电方案；由于碳化硅优异的性能表现及本身成本的不断降低（材料工艺更加成熟），将带来系统级成本优势以及加速其在纯电动市场上的应用，基于此，SiC未来存在巨大的增长机会。
尽管未来前景很好，但SiC芯片本身具有场强、能隙、热导率、熔点、电子迁移率等方面的新特性，对封装提出了新要求和挑战，要想从设计到产品量产，其中的工艺实现要经历诸多严苛的挑战。
据了解，芯聚能半导体主要聚焦于车规级及工业级的功率器件及模块的封装测试及应用，其工业级产品已经在一些行业头部企业企业进入量产状态，当中包括了车规级硅基IGBT和SiC主驱驱动模块在头部车企的验证工作进展顺利，产品性能及可靠性达到国际大厂同等水品且价格更低，将于今年下半年进入量产状态。
产业链通力合作，缩小与国际先进水平差距
第三代半导体的概念在2020年非常火热，随着各类投资的进行，芯聚能认为中国大陆的第三代半导体公司（包括衬底，外延，芯片制造，封装测试，应用）都已经有一个长足的进步，发展非常迅速，其与国际水平的差距进一步缩小。
不过同时也看到，国内在第三代半导体上的投资也出现一窝蜂的状况，能实现有效的商业化产能的就会不多。芯聚能坦言，虽然中国大陆的第三代半导体和国际先进水品的的差距比中国大陆硅基集成电路先进工艺和国际先进水平的差距小的多，但是差距也是全方位的，主要表现在材料，设备，检验检测能力等。
“只有整个产业链加大合作力度，在每个细分环节都有几个关键企业协同攻关，才有可能尽快缩小和国际先进水平的差距。同时，互惠的国际合作是必不可少的。”芯聚能补充。
最后在谈及企业人才方面，芯聚能表示作为一家初创企业，其已经连续三年招聘超过两位数的应届生，同时也制定了非常详细的培养计划，目前已经有一批独当一面的新人。
“立足于自我培养人才，从招收应届生培养应届生做起，为产业培养更多的有生力量。”这是芯聚能人才培养的基础所在。
史海拾趣
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