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2021年03月19日 | 三星Galaxy S21 FE八月发布:搭骁龙870处理器

2021-03-19 来源:快科技2018

      三星在去年首次尝试推出了廉价版旗舰机型Galaxy S21 FE,该机以极高的性价比和不输旗舰的体验,饱受全球消费者青睐。

  根据海外知名爆料人士 Evan Blass(@Evleaks)透露,三星今年还将继续延续此前的策略,推出Galaxy S21 FE机型,有望在 8月19日正式登场。


  据介绍,三星Galaxy S21 FE将保留S21系列的大部分功能,搭载旗舰级处理器,但机身将采用塑料材质,有利于降低机身重量,还能进一步压低成本,同时降低整体售价。

  根据之前的一些爆料显示,三星Galaxy S21 FE早在一个月之前就已获得了印度BIS认证。

  认证信息显示,三星Galaxy S21 FE将搭载高通最新推出的骁龙870处理器,内存方面则将配备至少8GB+128GB存储组合,机身内置4500mAh电池,支持25W快充。


  外观方面,三星Galaxy S21 FE整体延续了上代产品的外观设计,正面配备一块6.5 英寸的居中打孔全面屏,屏占比有所升级,分辨率为FHD+级,支持120Hz刷新率、屏下指纹。

  该机背部则依然采用矩阵三摄方案,规格分别为1200万像素广角+1200万像素超广角+800万像素长焦镜头,支持三倍变焦拍摄,整体与前代产品差别不大。

  值得一提的是,此前有国外媒体曝光的渲染图显示,三星为了更多的年轻消费者,将为Galaxy S21 FE提供许多全新的配色,整体设计偏向清新风格,应该会受到不少年轻人的喜爱。


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1. 基本二阶段低通滤波器电路的结构是怎样的?

回答:基本二阶段低通滤波器电路通常由两个一阶低通滤波器级联而成,每个一阶低通滤波器包含一个电阻和一个电容。具体来说,电路由两个电阻(R1, R2)和两个电容(C1, C2)组成。输入信号首先经过R1和C1组成的一阶低通滤波器,然后其输出再经过R2和C2组成的第二个一阶低通滤波器。这种结构可以有效滤除输入信号中的高频分量,只保留低频部分。

2. 如何计算二阶段低通滤波器的截止频率?

回答:二阶段低通滤波器的截止频率并非简单地将两个一阶滤波器的截止频率相加或平均。实际上,其截止频率与两个电阻和两个电容的值都有关。对于RC滤波器,单个一阶低通滤波器的截止频率为f_c1 = 1/(2πR1C1)和f_c2 = 1/(2πR2C2)。然而,对于二阶RC低通滤波器,其总截止频率通常使用以下公式计算:

f_c = \frac{1}{2\pi\sqrt{R_1R_2C_1C_2}} \] 这个公式考虑了两个滤波阶段的相互作用。 ### 3. 二阶段低通滤波器相比一阶滤波器有哪些优势? **回答**:二阶段低通滤波器相比一阶滤波器在滤波效果上有显著优势。具体来说,二阶段滤波器在通带内的增益更为平坦,而在阻带内的衰减速度更快(通常为-40dB/dec,比一阶滤波器的-20dB/dec快)。这意味着二阶段滤波器能更好地滤除高频噪声,保留低频信号,从而改善信号的纯度和信噪比。 ### 4. Sallen-Key结构和多路反馈结构(MFB)有什么区别? **回答**:Sallen-Key结构和多路反馈结构(MFB)是二阶低通滤波器的两种常见拓扑结构。Sallen-Key结构通常用于单位增益、高增益精度和低Q值的应用中,其电路结构相对简单,且对运算放大器的性能依赖性较小。而多路反馈结构(MFB)则适用于需要高Q值和高增益的应用场景。MFB结构通过引入额外的反馈路径来实现更高的Q值和更灵活的增益控制,但相应地,其电路复杂度也更高。 ### 5. 在实际应用中,如何选择合适的二阶段低通滤波器参数? **回答**:在选择二阶段低通滤波器的参数时,需要根据具体的应用需求来确定。首先,需要明确滤波器的截止频率,这取决于需要滤除的高频噪声的频率范围。其次,需要考虑滤波器的增益和相位特性,以确保信号在通过滤波器后能够保持所需的幅度和相位关系。最后,还需要考虑滤波器的稳定性和实现复杂度,以确保滤波器在实际应用中能够稳定可靠地工作。 在实际设计过程中,可能需要通过仿真软件来验证所选参数的效果,并根据仿真结果进行调整和优化。此外,还需要注意选择高质量的元件来构建滤波器电路,以确保滤波器的性能和稳定性。
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