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2021年04月09日 | 33W GaN快充“杀”出江湖 国内的氮化镓IDM企业加速布局
2021-04-09 来源：爱集微
硝烟弥漫的迷你快充市场再掀风云。继火爆的20W迷你快充之后，33W氮化镓迷你快充也开始“杀”入江湖。
从头部手机厂商的动作来看，继小米、OPPO、华为等相继标配GaN快充之后，苹果也“坐不住了”。今年年初便有消息传出，苹果也将入局GaN快充市场。市场分析认为，苹果入局氮化镓快充的首款产品将会是30W GaN快充。
需求即意味着机遇，GaN快充上游厂商早已吸引了不少企业进行了相关布局。而于此之中，作为氮化镓IDM企业的英诺赛科，可谓是一个“最靓的仔”，布局速度与深度颇受关注。
二代新品迅速成为市场焦点
2021年初，英诺赛科就率先在InnoGaN领域激起浪花——第二代新品INN650DA04正式面世。简单来说，INN650DA04具备高频高效、极低损耗、快速主动散热等特点，而且采用了DFN5*6进行封装，借此实现了产品小体积、高效率的优势，迅速成为市场焦点。
单从效率来看，INN650DA04在90AC、115AC、230AC、264AC的输入电压下均能达到92%以上的效率，比目前市面上主流的20W硅方案提升3%左右。
与此同时，英诺赛科基于该解决方案开发出了一款33W超迷你氮化镓快充参考设计，其尺寸仅为苹果5W充电器大小。
从图片上看，该参考设计外形小巧，内部结构精简。值得一提的是，这款参考设计不仅满足最大33W快充输出，而且在温升和EMI等方面也已符合安规要求，解决了快充电源厂商在产品开发过程中的两大难点，可以帮助客户加速产品量产，抢占市场。
稳定的供货优势
2020下半年以来，缺“芯”风波席卷而来，并影响着不少行业的正常生产。在这其中，功率半导体也不能幸免。可以预期，未来一段时间供货稳定、可靠将是市场需求方最重要的诉求。
英诺赛科的第二代新品INN650DA04则完全实现了核心技术的自主可控，供货稳定性得到了根本性保障。在产品定价上，英诺赛科INN650DA04采取了战略性定价方式，为客户带来先进技术产品，十分具有市场竞争力。
另一方面，成立于2015年的英诺赛科，致力于研发和生产8英寸硅基氮化镓功率器件与射频器件，目前已成为全球最大的氮化镓功率器件IDM 企业之一。2017年11月，英诺赛科率先建成了8英寸硅基氮化镓量产线，产品涵盖30-100V的低压GaN器件、650V及以上的高压GaN器件。最新消息显示，其苏州FaB基地也将于今年6月通线投产，满产后将实现月产8英寸硅基氮化镓晶圆65000片。
可以预见，该产品的推出及量产或在一定程度上解快充产业链供应紧张的局面。
英诺赛科向集微网透露，INN650DA04一经推出便获得众多电源厂商青睐，目前累计订单已经突破2kk，并不断有新客户陆续下单。苹果30W氮化镓快充一旦面世，预计该款氮化镓器件的每月订单量将直奔5kk，成为2021年下半年功率器件领域的现象级爆款。
30W氮化镓快充风口已至，InnoGaN注定要在缺“芯”风波之际刮起一阵自主之风。
史海拾趣
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