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2021年04月15日 | ST推出新款MasterGaN4器件，实现高达200瓦的高能效功率变换
2021-04-15 来源：EEWORLD
中国，2021年4月15日——意法半导体的MasterGaN4*功率封装集成了两个对称的225mΩ RDS(on)、650V氮化镓(GaN)功率晶体管，以及优化的栅极驱动器和电路保护功能，可以简化高达200W的高能效电源变换应用的设计。
作为意法半导体MasterGaN系列的最新产品，MasterGaN4解决了复杂的栅极控制和电路布局难题，简化了宽带隙GaN功率半导体的应用设计。MasterGaN4的输入容许电压为3.3V-15V，可以直接连接到控制器，例如，霍尔效应传感器或微控制器、DSP处理器、FPGA可编程器件等CMOS芯片。
GaN晶体管开关性能出色，工作频率更高，能效更高，散热发热更少，设计人员可以选用尺寸更小的磁性组件和散热器，设计更小、更轻的电源、充电器和适配器。MasterGaN4非常适用于对称半桥拓扑以及软开关拓扑，例如，有源钳位反激式和有源钳位正激式变换器。
4.75V-9.5V的宽电源电压方便MasterGaN4连接到现有电源轨。内置保护功能包括栅极驱动器互锁、高低边欠压锁定(UVLO)以及过热保护，可进一步简化应用设计。还有一个专用的关断引脚。
作为这次产品发布的一部分，意法半导体还推出一个MasterGaN4原型开发板(EVALMASTERGAN4)。这块评估板提供使用单一或互补信号驱动MasterGaN4的全部功能，以及一个可调的死区时间发生器。用户可以灵活地施加一个单独输入信号或PWM信号，插入一个外部自举二极管，隔离逻辑器件和栅极驱动器电源轨，以及使用一个低边电流采样电阻设计峰值电流模式拓扑。
MasterGaN4现已投产，采用9mm x 9mm x 1mm GQFN封装，超过2mm的爬电距离确保在高压应用中的使用安全。
史海拾趣
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