2021年06月08日 | 赛微电子：GaN外延材料一期产能为1万片/年，已签订合同

2021-06-08 来源：爱集微

6月6日，赛微电子披露了调研纪要，就MEMS业务、芯片晶圆价格、氮化镓（GaN）产能等情况，做出详细的回复。

具体来看，关于MEMS业务方面，赛微电子称，公司MEMS产品类别主要包括通讯、生物医疗、工业汽车和消费电子四大领域，根据过去几年的业务数据，这四类在公司MEMS业务收入中占比均比较均衡，各领域的需求也均在增长，但不同业务领域在不同时期可能会产生一些明显的波动因素。由于公司过去几年的产能有限，因此公司的收入与订单结构并不能完全、准确地反映市场需求。但总体来说各领域的需求均在增长，静态看生物医疗、通讯领域的需求增长表现得更为明显，动态看我们看好各领域的未来需求。

此外，公司北京MEMS产线的建设总产能为3万片/月，目前一期产能1万片/月已建成，2020年Q4内部调试，今年Q1开始晶圆验证，预计在本季度可以实现正式生产，今年下半年预计实现50%的产能，即月产5,000片晶圆，2022年实现一期100%的产能，即月产10,000片晶圆；2023年实现月产1.5万片晶圆，2024年实现月产2万片晶圆，2025年实现月产2.5万片晶圆，2026年实现月产3万片晶圆。随着北京产线工艺制造水平的逐渐成熟，若订单及客户需求的增长超出预期，则上述自2022年起的产能爬坡进度有可能加快。

在产线折旧摊销方面，赛微电子表示，对于公司北京MEMS产线（FAB3）的固定资产折旧政策，公司严格按照财政税务部门的相关政策和行业惯例执行，机器设备方面公司目前选择按10年进行折旧，厂房按照20年进行折旧，北京MEMS产线的相关资产已从2020年10月转固并按会计准则规定计提折旧。根据FAB3截至2020年末的资产情况（不考虑新添设备），静态预计每年归母折旧金额约在6000万元-7000万元区间。随着后续产能的扩张建设，该金额将相应增长。

赛微电子此前公告称，FAB3完成竣工验收，对此，公司进一步表示，北京FAB3的设计总产能为3万片MEMS晶圆/月；一期产能为1万片MEMS晶圆/月，一期产能已于2020年9月建成并达到投产条件，自2020年第四季度至今持续进行产线的内部调试以及与合作客户进行工艺及产品验证。公司于6月2日收到北京经济技术开发区行政审批局下发的文件，公司FAB3符合竣工验收的各项条件，最终完成竣工验收。FAB3的竣工验收是启动量产的必要不充分条件。

关于芯片晶圆价格的情况，赛微电子指出，公司MEMS工艺开发与晶圆代工产能一直比较紧张，订单排期较长，从芯片晶圆单价的计算结果来看，近几年单片晶圆价格的上涨是持续且快速的，2017-2020年公司MEMS晶圆的平均售价分别约为1700美元/片、1800美元/片、2200美元/片及2700美元/片。今年上半年的晶圆单价还有待结算统计。

赛微电子称，随着公司航空电子和导航业务的剥离，从2021年二季度开始，公司业绩将充分反映半导体业务自身的变化，预计MEMS与GaN业务在主营业务中的占比将超过97%。对于MEMS业务而言，瑞典产线的业绩与其产能扩充及运行情况强相关，而北京产线的业绩取决于产线的运行状态；对于GaN业务而言，截至目前已签订千万级销售合同并根据商业条款安排生产及交付，后续将陆续体现在各期的财务数据上，但具体经营业绩还需以定期报告为准。

MEMS业务毛利率情况，赛微电子表示，2020年公司瑞典产线MEMES业务综合毛利率接近50%，净利率接近30%，预计现在和未来仍将维持在较高水平；北京MEMS产线由于是新建产线，存在较大的折旧摊销压力，且预计晶圆制造业务将在收入结构中占据较大比重，收入的产品结构也将不同于瑞典，因此北京FAB3运营初期的毛利率和净利率将低于瑞典产线；随着体量的增长，公司MEMS业务的整体毛利率预计将有所下降（但仍可以保持芯片代工行业的正常水平）。

氮化镓（GaN）的产能方面，赛微电子指出，在GaN外延片方面，公司已建成的6-8英寸GaN外延材料制造项目（一期）的产能为1万片/年，目前已签订千万级销售合同并根据商业条款安排生产及交付。在GaN器件设计方面，产能主要受到供应方制造商产能的限制，目前在技术、应用及需求方面是没问题的，关键在产能供应端受限，在这方面公司也已对外签订了批量流片合同，努力缓解产能瓶颈问题。另一方面，公司GaN业务子公司聚能创芯参股投资设立青州聚能国际半导体制造有限公司，目标是在2021年内建成GaN产线并做好投产准备，以尽快推动产能建设，完善IDM布局，进一步形成自主可控、全本土化、可持续拓展的GaN材料、设计及制造能力

赛微电子

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