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2021年06月10日 | 长电科技郑力：后摩尔时代先进封装怎样实现华丽转身
2021-06-10 来源：爱集微
6月9日，2021世界半导体大会上，江苏长电科技股份有限公司董事、首席执行官郑力发表了以《后摩尔时代先进芯片成品制造技术的突破》为主题的演讲。
郑力指出，今年上半年缺芯、缺产能，特别是汽车缺芯的问题是热门话题。当前，摩尔定律走到了后摩尔时代，我们也感受到了责任的重大。
在他看来，先进封装发展到今天，“封”和“装”已经不是它的决定因素，高度集成的“集”，还有高度互连的“连”才是它华丽转身的关键，同时也是制造关键。
具体从2011年到2021年，芯片成品形式的集成密度和连接性能大幅提升，从制造工艺关键词的质变来看，概括为由”封“装”转向“集”“连“。目前，晶圆级封装的再布线层线宽间距已经从20/20um发展到2/2um，缩小了10倍；手机主芯片的晶圆节点也从28nm发展到5nm，从有机基板变为扇出型再布线层；CPU、GPU的I/O密度增长10倍；无线射频模块内布元器件数量增长30倍。用一句话概括，先进封装在技术向前发展到异构集成，微系统集成阶段时实现了质的飞跃。
郑力表示，先进芯片成品制造技术正在发生颠覆性突破。以长电科技为例，在异构集成技术赛道，长电科技也在不断换挡提速，面向Chiplet异构集成应用推出了XDFOI全系列的解决方案，包括2D chiplet、2.5D chiplet、3D chiplet等，可灵活实现异构集成。郑力透露，这些产品在2022年、2023年都有面向量产的项目和解决方案。
此外，受到TSV昂贵的成本和良率影响，长电科技还推出了无硅通孔扇出型晶圆级高密度封装技术，使用Stacked VIA替代TSV。该技术可以实现多层RDL再布线层，2×2um的线宽间距，40um级窄凸块互联，多层芯片叠加，集成高带宽存储，集成无源元件。未来，它还可以实现1×1um高密度的线宽间距以及20um极窄凸块互联。
然而，光有制造工艺和高密度的互联、高密度的集成工艺是不够的，目前国际龙头企业也在加强和设计行业包括IP、EDA等企业的合作。除了设计以外，测试也变得越来越复杂，但其往往被忽略。
郑力强调，想要保证良率、保证性能提高，就需要协同设计优化芯片集成与测试一体化。目前，国际上专门面向异构集成成立标准化委员会，制定了异质集成测试国际标准，旨在把测试和芯片高密度集成紧密结合在一起，形成完整的集成电路器件的芯片成品制造的关键制造工艺。长电科技在早期成为重要的、标准化委员会主要成员。
最后，郑力表示，在后摩尔时代，先进封装已远远超过封测字义范围，封测已经走进集成电路芯片成品制造这个重要产业阶段。在这个方面，先进封装已让人充分认识到它的升级换代对集成电路摩尔定律发展起到至关重要的作用。长电科技相信，在后摩尔时代可以把集成电路产业建设得更加美好。
史海拾趣
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