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2021年06月17日 | 赛微电子：已经布局氮化镓（GaN）外延材料、器件
2021-06-17 来源：爱集微
近日，赛微电子在投资者互动平台上表示，公司为全球领先的MEMS纯代工厂商，代工制造的产品包括流量、红外、加速度、压力、惯性、微镜、光开关、硅麦克风等各类MEMS芯片及基本结构模块；同时已布局氮化镓（GaN）外延材料、器件，以自主产品满足物联网对相关器件的需求。
据了解，在GaN外延片方面，赛微电子已建成的6-8英寸GaN外延材料制造项目（一期）的产能为1万片/年，目前已签订千万级销售合同并根据商业条款安排生产及交付。在GaN器件设计方面，产能主要受到供应方制造商产能的限制，目前在技术、应用及需求方面是没问题的，关键在产能供应端受限，在这方面赛微电子已对外签订了批量流片合同，努力缓解产能瓶颈问题。
另一方面，赛微电子GaN业务子公司聚能创芯参股投资设立青州聚能国际半导体制造有限公司，目标是在2021年内建成GaN产线并做好投产准备，以尽快推动产能建设，完善IDM布局，进一步形成自主可控、全本土化、可持续拓展的GaN材料、设计及制造能力。
在MENS方面，赛微电子北京8英寸MEMS国际代工线（北京FAB3）已于6月10日启动量产，据了解，量产的首款芯片为来自通用微科技有限公司(GMEMS)的MEMS麦克风芯片，该型芯片具有高信噪比、高AOP特征，与其在瑞典FAB代工的同型号芯片性能一致;基于该芯片封装的MEMS麦克风性能优异，与楼氏电子、英飞凌等国际知名传感器公司的同类产品相当。经过通用微科技进行的严格晶圆级性能测试以及对MEMS麦克风进行的性能检测和可靠性验证，确认成品性能达到设计指标要求，与基于瑞典FAB所代工芯片封装的MEMS麦克风的关键性能一致。同时FAB3制造的该首批晶圆良率与瑞典FAB1&2处于同一水平，开始进行批量商业化生产。
本次北京FAB3实现量产，让赛微电子同时在瑞典斯德哥尔摩和中国北京两地拥有业界先进、高质量运营的8英寸MEMS产线，同时北京FAB3更是可以提供标准化的规模产能，赛微电子表示，有利于公司进一步拓展全球市场尤其是亚洲市场，结合先进工艺与规模产能，更好地为下游客户服务，同时继续扩大公司MEMS业务的竞争优势，继续保持在MEMS纯代工领域的全球领先地位。
公开资料显示，目前赛微电子北京MEMS产线的建设总产能为3万片/月，目前一期产能1万片/月已建成，2020年Q4内部调试，今年Q1开始晶圆验证，预计在二季度可以实现正式生产，今年下半年预计实现50%的产能，即月产5,000片晶圆，2022年实现一期100%的产能，即月产10,000片晶圆；2023年实现月产1.5万片晶圆，2024年实现月产2万片晶圆，2025年实现月产2.5万片晶圆，2026年实现月产3万片晶圆。随着北京产线工艺制造水平的逐渐成熟，若订单及客户需求的增长超出预期，则上述自2022年起的产能爬坡进度有可能加快。
史海拾趣
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