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2021年08月12日 | 飞思卡尔 HCS12(x) memory map解说之3 .
2021-08-12 来源：eefocus
了解XS128的MEMORY map和core，对充分榨取他的现有资源，合理分配RAM很有帮助。上次讨论到cpu12内核的DG系列单片机，基本上该涉及的东西都有所提及。包括：
1 MEMORY map的原因，为什么要搞这个概念出来。
2 MEMORY map包含的内容，有那三点...
3 一些相关的概念性的东西。
如果不明白，看看前面几篇文章就会明白一些的。
这次再补充三个概念，希望能引起大家的注意和进一步讨论：
1 在PRM里设置了映射之后，怎么把程序或变量放在那个地址区呢？比如：我就想把int a；这个a 分配到未分页的RAM1区，怎么办？
这个说来话太长。
简单地说用：#pragma DATA_SEG [xxxx] 同样，如果反复调用一个函数，把这个函数放在非分页flash里也有异曲同同之妙。 关于这个问题的详细讨论，张教主有一篇文章，还有一个DP512的PPT都有讲解。大家可以网上下载看看，如 果需要，也可以向我email要. 2 建程序里的SAMLL BANKED LARGE是什么作用？ SMALL平面的64K的地址空间。所有的函数都是near。BANKED采用分页地址。所有的用户的函数都被默认为far。far类型的数据指针可以在SMALL和BANKED中使用LARGE， 默认为数据和代码均为分页模式。所有的函数和数据指针都是far类型。这种内存模型运行时间比较 长，因此很少使用.用LARGE基本上浪费了16位机寻址64K的优势。 因此，用SMALL和BANKED模式的较多。大家可以看看建工程时SMALL和BANKED模式下有什么不同？映射是一样的 ，只是DEFAULT_ROM和NON_BANKED有无分开的区别。 比如 const int a;我把他放在PAGE_3C里面，我如何通过计算PPAGE找到这个a呢？ 这样说是因为，随后的博文里将更进一步讨论XS128的memory部分。xs128有128KP-FLASH（ROM） 8KRAM 8KD-FLASH（ EEPROM） ，有某些分页用不到，比如RAM分页，因为逻辑地址是$2000-$4000，有8K空间，无需 分页。但是大一点的RAM的话，就必须要分页了。这么多分页(还有FLASH肯定是要分页了，不分页程序就装不下去)，怎么管理呢？总得有个东西来统筹一下吧.
3 分页明白了，但是分页映射之后怎么用分页里面的数据？
我们用C语言的过程中，把这些东西都忽略了，这个是内核的东西。简单地说，因为内核会自动调用不同的 指令去把你C语言译成机器码。机器码就指令集的表示了。因此，内核的先进性和编译优化过程让你不要管了 了。
史海拾趣
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