2021年08月31日 | STM8内部EEPROM的使用详解

1 内存映射

STM8S105集成了多达1K的EEPROM（掉电数据不会丢失）最高可以支持30万次的擦写次数，用户可以将一些数据保存在EEPROM中，具体的memory map如下图所示；

在这里内存一页的大小为64 bytes（1 block）, DATA EEPROM的内存地址映射如下图所示；

可以看到，EEPROM的起始地址为0x004000，结束地址为0x00427F，这个在下面编程时会用到，当然具体的大小会因为型号不同而有所差异；

2 程序实现

下面程序基于stm8的标准库，进行实现，相应标准库可以在st官网上下载得到；

eeprom_inner.ch

#ifndef EEPROM_INNER_H

#define EEPROM_INNER_H

#include "stm8s.h"

#define EEPROM_BASE_ADDR    0x4000

#define EEPROM_SIZE         0x07FF

union data32_unit_mod {

  uint32_t data32;

  uint8_t  buf[4];

};

typedef union data32_unit_mod data32_unit_mod_t;

union data16_unit_mod {

  uint16_t data16;

  uint8_t  buf[2];

};

typedef union data16_unit_mod data16_unit_mod_t;

/**

    外部函数声明

*/

void eeprom_init(void);

uint8_t eeprom_read_byte(uint16_t addr);

void eeprom_write_byte(uint16_t addr,uint8_t data);

void eeprom_write_data32(uint16_t offset, uint32_t data);

void eeprom_write_data16(uint16_t offset, uint16_t data);

void eeprom_write_data8(uint16_t offset, uint8_t data);

uint32_t eeprom_read_data32(uint16_t offset);

uint16_t eeprom_read_data16(uint16_t offset);

uint8_t eeprom_read_data8(uint16_t offset);

void eeprom_area_clear(void);

#endif

eeprom_inner.c

#include "eeprom_inner.h"

#include "stm8s_clk.h"

#include "stm8s_flash.h"

void eeprom_init(void)

{

    FLASH_DeInit();

    FLASH_Unlock(FLASH_MEMTYPE_DATA);//EEPROM

    FLASH_SetProgrammingTime(FLASH_PROGRAMTIME_TPROG); 

}

inline uint8_t eeprom_read_byte(uint16_t addr)

{    

    return FLASH_ReadByte(addr);

}

inline void eeprom_write_byte(uint16_t addr,uint8_t data)

{

    FLASH_Unlock(FLASH_MEMTYPE_DATA);

    FLASH_ProgramByte(addr, data);

    FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_MEMTYPE_DATA);

    FLASH_Lock(FLASH_MEMTYPE_DATA);

}

void eeprom_write_data32(uint16_t offset, uint32_t data){

    data32_unit_mod_t tmp;

    tmp.data32 = data;

    if(offset+4 > EEPROM_SIZE){

        //error

        return;

    }

    eeprom_write_byte(EEPROM_BASE_ADDR+offset,  tmp.buf[0]);

    eeprom_write_byte(EEPROM_BASE_ADDR+offset+1,tmp.buf[1]);

    eeprom_write_byte(EEPROM_BASE_ADDR+offset+2,tmp.buf[2]);

    eeprom_write_byte(EEPROM_BASE_ADDR+offset+3,tmp.buf[3]);

}

void eeprom_write_data16(uint16_t offset, uint16_t data){

    data16_unit_mod_t tmp;

    tmp.data16 = data;

    if(offset+2 > EEPROM_SIZE){

        //error

        return;

    }

    eeprom_write_byte(EEPROM_BASE_ADDR+offset,  tmp.buf[0]);

    eeprom_write_byte(EEPROM_BASE_ADDR+offset+1,tmp.buf[1]);

}

void eeprom_write_data8(uint16_t offset, uint8_t data){

    if(offset+1 > EEPROM_SIZE){

        //error

        return;

    }

    eeprom_write_byte(EEPROM_BASE_ADDR+offset,  data);

}

uint32_t eeprom_read_data32(uint16_t offset){

    data32_unit_mod_t tmp;

    if(offset+4 > EEPROM_SIZE){

        //error

        return 0xEEEEEEEE;

    }

    tmp.buf[0] = eeprom_read_byte(EEPROM_BASE_ADDR+offset);

    tmp.buf[1] = eeprom_read_byte(EEPROM_BASE_ADDR+offset+1);

    tmp.buf[2] = eeprom_read_byte(EEPROM_BASE_ADDR+offset+2);

    tmp.buf[3] = eeprom_read_byte(EEPROM_BASE_ADDR+offset+3);

    return tmp.data32;

}

uint16_t eeprom_read_data16(uint16_t offset){

    data16_unit_mod_t tmp;

    if(offset+2 > EEPROM_SIZE){

        //error

        return 0xEEEE;

    }

    tmp.buf[0] = eeprom_read_byte(EEPROM_BASE_ADDR+offset);

    tmp.buf[1] = eeprom_read_byte(EEPROM_BASE_ADDR+offset+1);

    return tmp.data16;

}

uint8_t eeprom_read_data8(uint16_t offset){

    if(offset+1 > EEPROM_SIZE){

        //error

        return 0xEE;

    }

    return eeprom_read_byte(EEPROM_BASE_ADDR+offset);

}

void eeprom_area_clear(void){

    uint16_t index = 0;

    for( ; index < EEPROM_SIZE; index+=2 ){

        eeprom_write_data16(index,0xFFFF);

    }

}