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2021年10月26日 | ST 新MDmesh™ K6 800V STPOWER MOSFET提高能效
2021-10-26 来源：EEWORLD
意法半导体新MDmesh™ K6 800V STPOWER MOSFET提高能效，最大限度降低开关功率损耗
2021 年 10 月 26 日,中国——STPOWER MDmesh K6 新系列超级结晶体管改进多个关键参数，最大限度减少系统功率损耗，特别适合基于反激式拓扑的照明应用，例如， LED 驱动器、HID 灯，还是适用于电源适配器和平板显示器的电源。
意法半导体 800V STPOWER MDmesh K6系列， 为这种超级结晶体管技术树立了高性能和易用性兼备的标杆。MDmesh K6 的RDS(on) x 面积参数在市场上现有800V产品中处于领先水平，能够实现紧凑的集高功率密度与市场领先的能效于一身新的新设计。
此外，K6 系列的阈压比上一代 MDmesh K5更低，可使用更低的电压驱动，从而降低功耗并提高能效，主要用于零功耗待机应用。总栅极电荷 (Qg) 也非常低，可以实现高开关速度和低损耗。
芯片上集成一个 ESD 保护二极管，将 MOSFET 的整体鲁棒性提高到人体模型 (HBM) 2 级。
意大利固态照明创新企业 TCI 的首席技术官、研发经理 Luca Colombo 表示:“我们已经测评了新的超结超高压 MDmesh K6 系列的样片，并注意到其出色的 Rdson* 面积和总栅极电荷 (Qg) 性能特点，给我们印象深刻。”
采用 TO-220 通孔封装的 STP80N240K6 (RDS(on)max = 0.22Ω, Qgtyp = 25.9nC)是首批量产的 MDmesh K6 MOSFET，ST eSTore网上商店现已提供免费样片。DPAK 和 TO-220FP 版本将于 2022 年 1 月前量产。订购1000 件，单价1.013 美元起。
意法半导体将于 2022 年前推出MDmesh K6 的完整产品组合，将导通电阻RDS(on)范围从 0.22Ω 扩大到 4.5Ω，并增加一系列封装选项，包括 SMD 和通孔外壳。
关于意法半导体
意法半导体拥有46,000名半导体技术的创造者和创新者，掌握半导体供应链和先进的制造设备。作为一家独立的半导体设备制造商，意法半导体与十万余客户、数千名合作伙伴一起研发产品和解决方案，共同构建生态系统，帮助他们更好地应对各种挑战和新机遇，满足世界对可持续发展的更高需求。意法半导体的技术让人们的出行更智能，电力和能源管理更高效，物联网和5G技术应用更广泛。
史海拾趣
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