2021年10月26日 | 英飞凌最新一代IGBT技术平台实现转速与位置的精准控制

2021-10-26 来源：elecfans

IGBT7作为英飞凌最新一代IGBT技术平台，它与IGBT4的性能对比一直是工程师关心的问题。本文通过FP35R12W2T4与 FP35R12W2T7在同一平台伺服驱动中的测试，得到了相同工况下IGBT4与IGBT7的结温对比。实验结果表明，在连续大功率负载工况与惯量盘负载工况的对比测试中，IGBT7的结温均低于IGBT4。

伺服驱动系统响应速度快，过载倍数高，小型化和高功率密度的趋势更是对功率器件提出了更苛刻的要求。英飞凌明星产品IGBT7凭借超低导通压降、dv/dt可控、175℃过载结温、完美契合伺服驱动器的所有需求。英飞凌—晶川—迈信联合研发基于IGBT7的伺服驱动完整解决方案，可显著提高功率密度。驱动芯片采用英飞凌无磁芯变压器1EDI20I12MH。因为IGBT7独特的电容结构，不易寄生导通，因此可以使用单电源设计，最大程度上简化了驱动设计。主控MCU采用XMC4700/4800，电机位置检测采用TLE5109，实现转速与位置的精准控制。

为了对比IGBT4与IGBT7在伺服驱动中的表现，我们使用了同一平台的两台伺服驱动，分别搭载PIN脚布局相同的FP35R12W2T4与FP35R12W2T7，在相同dv/dt条件下（dv/dt=5600V/us），进行测试。

我们设计了两种典型工况对比方案，来对比IGBT4与IGBT7在相同的工况下的结温，分别是连续大负载对比测试与惯量负载对比测试。待测IGBT模块内的IGBT芯片上预埋热电偶，通过将热电偶连接数据采集仪，可以直接读出IGBT芯片结温。

连续大负载对比测试

加载采用两台电机对拖，被测电机系统工作于电动状态，负载电机系统工作于发电状态；

分别采用基于IGBT4和IGBT7的驱动器驱动被测电机，两台驱动器每次加载的开关频率、输出电流/功率一样；

采用功率分析仪测试驱动器的输入功率、输出功率，计算驱动器的损耗和效率。

下图是连续大负载工况下的IGBT4与IGBT7结温对比。

英飞凌最新一代IGBT技术平台实现转速与位置的精准控制

从中可以看出，在8K开关频率下加载13分钟，IGBT7和IGBT4的结温差17℃。随着加载时间的延长，结温差还处于上升趋势。

我们还对比了不同开关频率、同样输出功率（5.8KVA）情况下，IGBT7和IGBT4的温升对比，如下图所录。横轴是IGBT的开关频率；左边的纵轴是NTC温度与初始温度相比的温升。右边的纵轴是IGBT4和IGBT7的温升差。随着开关频率的提高，IGBT7和IGBT4的NTC温升变大；10K开关频率下，IGBT7的NTC温升比IGBT4降低19℃。可以看到。由于IGBT7可以工作更高的结温，因此可以实现更大输出功率，实现功率跳档。

英飞凌最新一代IGBT技术平台实现转速与位置的精准控制