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2021年11月27日 | 英诺赛科“All GaN方案”加速USB PD3.1应用
2021-11-27 来源：爱集微
11月26日，在2021（秋季）USB PD&Type-C亚洲展上，英诺赛科展示了All GaN解决方案；与此同时，英诺赛科高级产品应用经理邹艳波发表了《高性能All GaN方案为USB PD 3.1 应用加速》的主题演讲，现场解析更多GaN市场价值及应用新动向！
英诺赛科高级产品应用经理邹艳波
“USB PD 3.1快充标准带来了更高的输出电压、更高的功率和功率密度。除了手机、平板、笔记本电脑外，还可以应用于显示器、相机、无人机、扫地机器人，电动工具以及电动自行车等多个场景。”邹艳波指出，“目前，英诺赛科的GaN器件已经实现全场景覆盖。”
不过，USB PD 3.1协议的推出对电源设计也提出了新的挑战。而采用氮化镓（GaN）制成的功率器件凭借其出色的效率及高速切换频率的优势，能完美应对电源设计中的难题。
为此，英诺赛科推出了从65W到240W全系列All GaN解决方案，让功率密度和效率进一步提升。针对All GaN方案，英诺赛科推出了150V GaN芯片，与目前市面上最高标准的150V Si MOS相比，性能提升2-3倍。
据邹艳波介绍，英诺赛科All GaN方案有以下三种：65W1C，140W 28V/5A和240W 48V/5A。
其中，基于150V GaN性能，在原方案上升级的65W All GaN方案，功率密度可达31W/in3。在90V交流电下效率为93.4%，在230V下效率达94.7%。
140W方案可支持28V/5A输出，采用无桥PFC+ACF架构，功率密度达30W/in3，大小与传统65W快充尺寸相当。
240W（PD3.1 48V5A）方案采用Totem pole无桥PFC+LLC设计，功率密度高达41W/in3，效率达96.5%，尺寸仅为一张银行卡大小。
邹艳波表示，在量产高低压氮化镓器件的基础上，英诺赛科也致力于做全链路高效、高频和高功率密度的方案，从前端电网侧，转到我们的充电器以及到手机内部，实现整个从端到端的解决方案，帮助大家提升能效。值得一提的是，在IDM模式助力下，英诺赛科每两代产品升级，可使单片晶圆的芯片数量增加2倍左右。
得益于丰富的InnoGaN系列产品线，英诺赛科在消费类电源市场高歌猛进，当前出货量已突破4000万颗，已经被联想、努比亚、魅族、ANKER、绿联、倍思、品胜、MOMAX、ROCK、REMAX、QCY、Lapo、tegic 等多家知名品牌和厂商的上百款产品所采用，并与合作伙伴共同推出优秀的氮化镓应用方案。
对于未来发展，邹艳波表示，All GaN方案在绿色能源、数据中心能源、智能电动、直流楼宇等四大领域都将有广泛的应用机会。他指出，“英诺赛科在‘GaN’一件有意义的事情。如果用氮化镓去提升整个供电电路5%的效能，以全球每年电能消耗27万亿千瓦时来计算，可以实现10亿吨的碳减排。”
整体来看，作为全球首家8英寸硅基氮化镓量产企业，英诺赛科正以其突飞猛进的销量表现引领全球第三代半导体的发展。随着英诺赛科苏州工厂的成功量产，英诺赛科也做好了全面拥抱氮化镓巅峰时代到来的准备。
史海拾趣
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