2023年02月07日 | EPC新推200 V、10 mΩ、采用QFN封装的GaN FET，实现高效灵活设计

2023-02-07 来源：EEWORLD

EPC新推200 V、10 mΩ、采用QFN封装的GaN FET，实现高效灵活设计

宜普电源转换公司(EPC)推出 200 V、10 mΩ的EPC2307，完善了额定电压为 100V、150 V和200 V的6个GaN晶体管系列，提供更高的性能、更小的解决方案和易于设计的DC/DC 转换、AC/DC SMPS和充电器、太阳能优化器和微型逆变器，以及电机驱动器。

image.png?imageView2/2/w/550

全球增强型氮化镓FET和IC领导者EPC推出 200 V、10 mΩ的EPC2307，采用耐热增强型QFN封装，占位面积仅为3 mm x 5 mm。

EPC2307与之前发布的100 V、1.8 mΩEPC2302、100 V、3.8 mΩ EPC2306、150 V、3 mΩ EPC2305、150 V、6 mΩ EPC2308 和 200 V、5 mΩ EPC2304 兼容，使设计人员能够权衡导通电阻与价格，在相同PCB占位面积上，放入不同的产品型号以实现更高效率或更低成本的解决方案。

这些器件采用顶部裸露的耐热增强型QFN封装。极小的热阻改善了通过散热器来散热，从而实现出色的热性能，而可润湿侧面简化了组装，而且封装兼容，为不同规格提供了设计灵活性，从而加快了产品的上市时间。

该系列器件为电机驱动设计带来各种优势，包括其极短死区时间可实现电机+逆变器系统的高效率、可降低磁损耗的较低电流纹波、可提高精度的较低转矩纹波，以及可降低成本的低滤波。

对于DC/DC 转换应用，这些器件在硬开关和软开关设计中提供高达五倍的功率密度、出色的散热性能和更低的系统成本。此外，振铃和过冲都显着减少以改善 EMI。

EPC的联合创始人兼首席执行官Alex Lidow说：“该系列产品的封装尺寸兼容、易于组装的器件不断推陈而出，以支持工程师的设计实现高度灵活性、快速优化和上市。该系列器件用于体积更小、更轻的电机驱动器、更高效和更小的 DC/DC 转换器，以及更高效的太阳能优化器和微型逆变器。”

EPC90150开发板采用半桥拓扑的EPC2307，旨在简化评估过程并加快产品上市时间。尺寸为2”x 2”(50.8 mm x 50.8 mm)的电路板专为实现最佳开关性能而设计，包含所有关键组件以便于评估。

EPC2307以1000片为单位批量购买，每片价格为3.54美元。每块开发板EPC90150的单价为200美元，可从Digi-Key立即发货。

有兴趣用GaN解决方案替换其硅MOSFET的设计人员可使用EPC GaN Power Bench的交叉参考工具，根据您所需的特定工作条件，我们会推荐合适的替代方案。

EPC GaN FET

上一篇:采用EPC新型车规级GaN FET设计更高分辨率激光雷达系统

下一篇:英飞凌与Resonac扩大合作范围，签署多年期碳化硅（SiC）材料供应协议