4～8 GHz宽带单片集成低噪声放大器设计

电路由三级放大器级联而成,三级电路结构均使用电阻自偏压技术来实现单电源供电,它既可保证PHEMT管处于低噪声高增益的工作点,又可将所有元器件集成在单片GaAs衬底上,解决了供电复杂的问题。第三级电路采用了并联负反馈结构,降低了带内低频端增益,提高了高频端增益,从而改善了增益平坦度。利用微波仿真软件AWR对电路进行了仿真和优化,结果显示,在4～8 GHz频带内,噪声系数＜1.4 dB,增益达23±0.5 dB,输入输出驻波比＜2.0:1。