离子注入设备和方法
2011-11-03
离子注入设备和方法
最简单的离子注入机(图2)应包括一个产生离子的离子源和放置待处理物件的靶室。当前主要有以下几种类型的注入机:
1. 质量分析注入机,能注入任何元素。它有如下优点:
a. 能产生任何元素的离子。
b. 能产生纯的单能离子束,对目的明确的开发研究特别有利。
c. 能很准确地确定处理参数。
d. 靶室压强低,可限制污染。
e. 离子束能量变化范围很宽。
缺点是:
a. 束流一般较小。
b. 机器昂贵且复杂,需专门人员操作和维修。
c. 处理复杂形状时,要求样品翻转。
2. 氮注入机,只能产生气体束流(几乎只出氮)。主要用于工具的注入。其优点如下:
a.操作维修简单。
b.束流高。
c.可以制成巨型的机器。
缺点是:
a.束流均匀性一般较差(但通常可满足工具的处理)。
b.离子束组分的相对分量不稳定,且其能量和剂量也不能确定。
c.因为离子源一般靠近靶室,在处理过程中靶室压强较高,会使处理表面氧化。
d.处理复杂形状时要求工件翻转。
3. 等离子源注入机(PIII)
PIII 装置(图3)不是由离子源中产生的离子束射向分离靶室中的工件上,而是离子源环绕着工件。其做法是在靶室中产生等离子体,因此等离子体是环绕着注入工件的。这样就没有了直射性的限制。其优点如下:
a.简单,成本低。勿需产生和控制离子束,只需运行真空系统。
b.不需工件的转动和扫描。
c.垂直入射注入。
d.高束流覆盖整个表面,故可忽略强离子束扫描引起的局部受热问题。
缺点是:
a.任何等离子体的不均匀性将引起不均匀注入。
b.离子能量受限制。
c.存在与靶室中所有离子均会注入,剂量和能量不易确定。
d.电流脉冲的效果尚无大量资料确证。
其它类型注入机
目前还研制出了金属蒸发真空电弧离子源(MEVVA),它是在注入元素组成的电极表面引燃电弧而产生离子束的,它解决了固体元素直接注入这一难题。
这个领域还在不断的发展中,必将会有许多新的仪器与设备涌现出来。
- 国产高精度、高速率ADC芯片,正在崛起
- 贸泽开售用于快速开发精密数据采集系统的 Analog Devices ADAQ7767-1 μModule DAQ解决方案
- 采用电容型PGA,纳芯微推出高精密多通道24/16位Δ-Σ型ADC
- 安森美CEO亮相慕尼黑Electronica展,推出Treo平台
- ADALM2000实验:变压器
- 意法半导体推出灵活、节省空间的车载音频 D类放大器,新增针对汽车应用优化的诊断功能
- 高信噪比MEMS麦克风驱动人工智能交互
- 全差分放大器为精密数据采集信号链提供高压低噪声信号
- 安森美推出业界领先的模拟和混合信号平台
- 集Hi-Fi、智能和USB多通道等特征于一体的微控制器——迎接数字音频新时代