电源里有水的元件“铝电解电容”
2017-03-01 来源:ZLG致远电子
铝电解电容是唯一有“水”的元器件,不爽的时候还会爆浆,因为具有很高的单位CV值和价格低廉而被广泛使用在各种电子产品中。让我们一起来了解下铝电解电容是怎样制造出来的,以及它有哪些特性。
电解电容是唯一一种带有液体的元器件,在所有的电容器中,相同尺寸下,铝电解电容的CV值最大,即能的存储电荷最多,价格最便宜。
电容器的基本模型如图1所示,静电容量的公式如下:
ε:介电常数
S:电极板的面积(m2)
D:两电极板之间的距离
图2 常见的电解电容及其结构
实现电解电容性能是靠铝壳中间的素子,素子的结构如图3、图4。
图4 电容的等效电路
作为铝电解电容的电介质氧化膜(Al2O3)的介电常数通常为8~10,这个值并不比其他类型的电容大,但是,通过对铝箔进行蚀刻扩大表面积,并使用电化学的处理得到更薄更耐压的氧化电介质层,使铝电解电容可以取得比其他电容器更大的单位面积CV值。
制造过程
1、蚀刻(扩大大表面积)
蚀刻的作用是扩大铝表面积。
2、化成(形成电介质层)
在阳极铝箔表面形成电介质层(Al2O3)
3、剪裁
按照产品要求裁剪铝箔
4、卷绕
将阴极铝箔和阳极铝箔之间插入电解纸,然后卷绕成圆柱形,在卷绕工艺上阴极箔和阳极箔连接上端子。
5、含浸
将素子浸入电解液中,电解液能对电介质进一步修复。
6、密封
将素子装入铝壳中用封口胶密封。
基本性能:
1、静电容量
铝电解电容的静电容量是在20℃,120Hz,0.5V的交流条件下测试的值,一般来说,温度升高,容量值也会升高;温度低容量也会降低。频率越高,容量越小;频率越低,容量越大。
图5 静电容量的温度特性
图6 静电容量的频率特性
2、Tanδ(损耗角)
交流电流流过铝电解电容时,会产生损耗,因为铝电解电容的电解液、电解纸和其他接触电阻的存在,铝电解电容等效于串联了电阻R,见图7、图8和图9。
图7 铝电解电容的等效模型
图8 Tanδ定义图
图9 Tanδ的温度特性
3、漏电流LC
铝电解电容在承受直流电压时,会有一个小直流电流过电容,理想电容器是不能通直流的,称之为漏电流LC。LC会随时间变化,如图10、图11,最后达到一个稳定值。但温度升高时,LC增加;施加电压降低,LC也会减少。
图10 漏电流时间特性
图11 漏电流温度特性
4、阻抗频率特性
铝电解电容的等效模型有C、R、L组成,电容器两端的频率-阻抗特性也由C、R、L的频率-阻抗特性叠加组成。如图12。1/ωC是容抗,直线向下45°角。ωL是感抗,直线向右上45°角。R代表等效串联电阻。在低频区间,有频率依存的电介质损失影响大,因而R线向下。在高频区间,电解液和电解纸的阻值占主导地位,不在受频率影响,因而R值趋于稳定。
图12 阻抗的频率特性
阻抗也受温度影响:温度升高,阻抗减少;温度降低阻抗增大。
图13 阻抗、ESR的温度频率特性
5、ZLG电源的电解电容的选型
ZLG的电源产品除常规关注的电压、C、R、L特性外,根据电源拓扑结构的不同,对流过电容的电流、工作的温升也需计算、实测、确保留够足够的余量,保证产品的寿命。
上一篇:消费应用中的电容传感设计实用技巧
- MathWorks 和 NXP 合作推出用于电池管理系统的 Model-Based Design Toolbox
- 意法半导体先进的电隔离栅极驱动器 STGAP3S为 IGBT 和 SiC MOSFET 提供灵活的保护功能
- 全新无隔膜固态锂电池技术问世:正负极距离小于0.000001米
- 东芝推出具有低导通电阻和高可靠性的适用于车载牵引逆变器的最新款1200 V SiC MOSFET
- 【“源”察秋毫系列】 下一代半导体氧化镓器件光电探测器应用与测试
- 采用自主设计封装,绝缘电阻显著提高!ROHM开发出更高电压xEV系统的SiC肖特基势垒二极管
- 艾迈斯欧司朗发布OSCONIQ® C 3030 LED:打造未来户外及体育场照明新标杆
- 氮化镓取代碳化硅?PI颠覆式1700V InnoMux2先来打个样
- 从隔离到三代半:一文看懂纳芯微的栅极驱动IC