三星宣布11nm新工艺：7nm全面上极紫外光刻

Intel虽然一再强调自己的xxnm工艺才是最精确的，比如同样标称10nm，自己要比三星、台积电的领先整整一代，但是没办法，人家的脚步要快得多。

今天，三星电子又宣布了新的11nm FinFET制造工艺“11LPP”（Low Power Plus），并确认未来7nm工艺将上EUV极紫外光刻。

三星11LPP工艺不是全新的，而是14nm、10nm的融合，一方面采用10nm BEOL（后端工艺），可以大大缩小芯片面积，另一方面则沿用14nm LPP工艺的部分元素。

三星于2016年10月投产10LPE（10nm Low Power Early），并已准备好即将投产10LPP（10nm Low Power Plus），主要为智能手机制造芯片，14nm工艺则针对主流、低功耗和紧凑型芯片。

下一步，三星还会增加14LPU、10LPU版本。

11LPP工艺将填补三星14nm、10nm之间的空白，号称可在同等晶体管数量和功耗下比14LPP工艺提升15％的性能，或者降低10％的功耗，另外晶体管密度也有所提高。

三星计划2018年上半年投产11LPP工艺。

未来，三星还一路准备了9nm、8nm、7nm、6nm、5nm工艺，其中7nm 7LPP版本会全面融合EUV极紫外光刻，确认2018年下半年试产。

另有报道称，在那之前的明年上半年，三星会首先在8LPP工艺的特定层上使用EUV。

三星表示，2014年以来，已经使用EUV技术处理了接近20万块晶圆，取得了丰硕成果，比如256Mb SRAM的良品率达到了80％。