NEC电子P沟道MOSFET具超低Rds(on)

　　近日，NEC电子(欧洲)宣布推出新型低电压电源管理器件(PMD)。该系列产品的推出使P沟道NP系列产品可覆盖-15A至-100A的漏极电流。

　　该系列产品采用普通的TO-252（DPAK）和TO-263（D2PAK）贴片封装。产品包含2种额定漏源电压（-40V和-60V）及可由逻辑门驱动产品。在DPAK封装系列中，低漏极电流器件（ID（DC）<50A）中的导通电阻（RDS(ON)）为9.6mOhm（NP50P04SDG）至75mOhm（NP15P06SLG）。而在D2PAK封装系列中，额定漏极电流为-100A的器件的导通电阻（RDS(ON)）则降至3.7mOhm。

　　能实现P-沟道功率MOSFETs超低导通阻抗（RDS(ON)）值主要是因为采用了UMOS-4工艺。该工艺采用0.25um的设计规则，将单元密度提高到了160Mcells/inch2,同时降低了单位面积的导通电阻（RDS(ON)）。和NP系列的其他产品一样，新产品按照AEC-Q101流程制造，额定温度为175℃，纯锡电镀管脚完全符合RoHS要求。雪崩能量从19mJ（NP15P06SLG）至550mJ（NP100P04PLG），因芯片不同而有所差异。