发布时间：2023-11-07

中国上海， 2023 年 1 1 月 7 日 ——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布， 推出“ SSM10N961L ”低导通电阻30V N沟道共漏极MOSFET，适用于带有USB的设备以及电池组保护 。该产品于今日开始支持批量出货。 截至目前，东芝的N沟道共漏极MOSFET产品线重点聚焦于12V产品，主要用于智能手机锂离子电池组的保护...

发布时间：2023-05-18

中国上海，2023年5月18日—— 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出额定电流为20A的12V共漏极N沟道MOSFET“SSM14N956L”，该器件可用于移动设备锂离子（Li-ion）电池组中的电池保护电路 。该产品于今日开始支持批量出货。 锂离子电池组依靠高度稳定的保护电路来减少充放电时产生的热量，以提高安全性。这些电路必须具有低功耗和高密...

发布时间：2019-12-11

器件适用于24 V系统双向开关，最佳RS‑S(ON)典型值低至10 mW 单位面积RS-S(ON)达业内最低水平 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用小型热增强型PowerPAK® 1212-8SCD封装新款共漏极双N沟道60 V MOSFET---SiSF20DN。Vishay Siliconix SiSF20DN是业内最低RS-...

发布时间：2019-09-04

近期， 罗姆 公司发布了一款200V 肖特基势垒二极管 （简称“SBD”），其实二极管是一款非常普通的电子元器件，在整流电路、检波电路、稳压电路，以及各种调制电路中被广泛应用。然而如果能够把二极管做到极致也非常不一般，ROHM半导体（北京）有限公司技术中心所长水原德健介绍，“罗姆的二极管产品全球市场占比可以达到10%左右，在车载市场全球占比可达到20%，位居第一。肖特基二极管...

发布时间：2017-03-01

在此系列的第一部分中，讨论过高电流栅极驱动器如何帮助系统实现更高的效率。高速栅极驱动器也可以实现相同的效果。 高速栅极驱动器可以通过降低FET的体二极管功耗来提高效率。体二极管是寄生二极管，大多数类型的FET固有。它由p-n结点形成并且位于漏极和源极之间。图1所示为典型MOSFET电路符号中表示的体二极管。 图1：MOSFET符号包括固有的体二极管 限制体二极...

发布时间：2014-09-20

　 　MOSFET 的栅极电荷特性与开关过程 　　尽管 MOSFET 在 开关电源 、电机控制等一些电子系统中得到广泛的应用，但是许多电子工程师并没有十分清楚的理解 MOSFET 开关过程，以及 MOSFET 在开关过程中所处的状态。一般来说，电子工程师通常基于栅极电荷理解 MOSFET 的开通的过程，如图 1 所示。此图在 MOSFET 数据表中可以查到。 　　MOSF...

发布时间：2014-06-20

本文先介绍了基于功率 MOSFET 的栅极电荷特性的开关过程；然后介绍了一种更直观明析的理解功率 MOSFET 开关过程的方法：基于功率 MOSFET 的导通区特性的开关过程，并详细的阐述了其开关过程。开关过程中，功率 MOSFET动态的经过是关断区、恒流区和可变电阻区的过程。在跨越恒流区时，功率MOSFET 漏极的电流和栅极电压以跨导为正比例系列，线性增加。米勒平台区对应着...

发布时间：2014-01-04

VMOS管共漏极组态的驱动要比共源极组态的驱动困难些，但还是比双极晶体管共集电极组态的驱动容易，当需要负载一段接地时，或者需要有源推-拉输出电路时，场采用共漏极电路。 ...

发布时间：2012-04-26

  近年来，无论在全球移动通信系统、第三代移动通信系统、无线局域网等民用领域，还是在雷达、电子战、导航等军用领域，射频功率放大器作为这些系统中的前端器件，对其低耗、高效、体积小的要求迅速增加。     众所周知，功率放大器是射频电路众多模块中功率损耗最大的，作为系统的核心和前端部分，它的效率将直接影响系统效率，因此效率问题成为现代功率放大器的研究热点。在大多数功率放大器中，功...

发布时间：2012-01-05

　我们将以12 W 通用输入恒压适配器为例进行讲解，该适配器使用TinySwitch®-III 器件设计而成。 　　所需设备 　　要完成本课程，您需要准备好一个功能完备的电源和一组标准测试设备。与电力电子装置配合使用的标准测试设备组，应包括一个电流探针。该电流探针通常并不是一件标准实验室设备，因此其费用似乎无需或难以判断。不过，测量电源中的电流波形对于查找故障和验证设计来说，...