传中芯国际14纳米FinFET后年量产
2017-12-11 来源:集微网
2017年11月底中芯国际完成权益类组合融资交易,合计募集资金9.72亿美元,创下2004年IPO以来最大金额的权益类融资,且除兆易创新外,包括大唐控股、国家集成电路产业基金等均积极参与, 代表两大股东对于未来中芯国际发展的战略性支持,也突显中芯国际在中国半导体业发展蓝图上将持续扮演关键的角色。
事实上,2017年11月兆易创新公布将以不超过7000万美元的额度来认购中芯国际的配售股份,而交易完成后,兆易创新将持有中芯国际1.02%的股份,不但可藉由中芯国际的产能来确保兆易创新NORFlash供货的稳定性, 且双方可以发展多层次的战略合作关系之外,也显示半导体产业链的结合或策略联盟的频率将有所提升。
而预料中芯国际的布局重点将包括:持续追赶先进制程、实施差异化策略、启动产能扩张、跨界整合后段封测等。 其中在制程的规画上显然将采取多元化的策略,也就是先前公司积极延揽前Samsung、台积电技术高层梁孟松,也就代表中芯国际并不放弃先进制程的追逐,其中中芯国际的第一阶段PolySion制程已经量产, 第二阶段是第一代的HKMG制程(中芯称为HKC制程),已经在2017年第二季开始产出,2017年第四季28奈米估计将突破10%的营收比重,而第三阶段是第二代的HKC制程,预计在2018年底量产,同时透过人才招聘及政府支持 ,预料中芯国际14奈米FinFET将于后年量产。
至于实施差异化策略方面,主要是针对物联网及其他新兴科技领域的需求,中芯国际也不放弃发展成熟及特殊制程,包括投入闪存NORFlash、微控制器(MCU)、传感器CMOSSensor、高压(HV)等制程技术平台等。
而在启动产能扩张方面,除内在的动力,如企业自身实力的增强,产能利用率的上扬,中国境内客户的销售额比重已达50%外,外部压力也确实使中芯国际面临持续扩张产能的必要性,特别是必须缩短与国际大厂间的产能差距, 同时考虑中国半导体业向上冲刺的态势,中芯国际必须扮演中国集成电路制造业的领头羊。
最后在跨界整合后段封测方面,现在的代工制造商均须有跨界后到封装的能力,来进行2.5D-3D的集成,而此部分台积电已走在前列,中芯国际更不甘落后,已与长电科技合资在江阴成立中芯长电。
从中国集成电路制造产业未来产能陆续释出的情况来看,目前中国12吋晶圆厂共有22座、其中在建11座,8吋晶圆厂18座、在建5座,部分将新厂将陆续于2018年进入量产阶段,特别是2018年将是中国内存制造从无到有的关键年度 ,故总计2018年中国集成电路制造产业产值年增率预估将达19%,增幅仍维持于高速成长阶段。
(作者为台湾经济研究院产经数据库副研究员)
(旺报)
- ASML在2024 年投资者日会议上就市场机遇提供最新看法
- 消息称内存原厂考虑 HBM4 采用无助焊剂键合,进一步降低层间间隙
- 英特尔中国正式发布2023-2024企业社会责任报告
- 贸泽电子与Analog Devices联手推出新电子书
- AMD 推出第二代 Versal Premium 系列:FPGA 行业首发支持 CXL 3.1 和 PCIe Gen 6
- SEMI:2024Q3 全球硅晶圆出货面积同比增长 6.8%、环比增长 5.9%
- 台积电5nm和3nm供应达到"100%利用率" 显示其对市场的主导地位
- LG Display 成功开发出全球首款可扩展 50% 的可拉伸显示屏
- 英飞凌2024财年第四季度营收和利润均有增长; 2025财年市场疲软,预期有所降低