MSP430 flash 操作

2020-05-08 来源：eefocus

关于flash具体说明，可以参照msp430 user guide中的具体章节。

介绍

一般，在单片机中的flash是用于存放程序代码的，属于只读型存储器（ROM）。但是在许多单片机中内部，都会专门留有一小段flash控制区，用于存放重要的配置参数，使得这些参数在掉电后仍然可以保存在单片机上面。

硬件介绍

430单片机的存储器组织结构采用冯诺依曼结构，RAM和ROM统一编址在同一寻址空间，没有代码空间和数据空间之分。

一般430的单片机都统一在0-64k地址范围中，只有少数高端的型号才能突破64k。地址的大概编码方式见msp430 user guide。（msp430f22x4的是在P310处）

以msp430f22x4为例，它的information memory大小为256个字节，分成4端，分别为segment A、B、C、D。对应的地址从0x010ff-0x01000。每块64个字节。

flash操作包括：字或字节写入；字符串写入；段擦除；主flash擦除。

flash操作时需要把flash时钟的范围控制在257kHz到476kHz。如果不在这个范围内，将会产生不可预料的结果。

擦除：擦除的最小单位是段，有三种擦除模式

    MERAS    ERASE    Erase Mode
    0        1        Segment erase
    1        0        Mass erase(all main memory segments)
    1        1        Erase all flash memory(main and information segments)

通过MERAS、ERASE位来设置擦除模式：段擦除，主flash擦除，全部擦除。

写入：写入的模式由WRT和BLKWRT位来确定

BLKWRT    WRT    Write Mode
    0        1    Byte/word write
    1        1    Block write

这两种模式中块写入要比字或字节写入操作速度大约快两倍，因为在块写入完成之前，变成电压一直维持直到块写入完成。

程序实现

设置Flash时钟，初始化Flash控制器

void flash_init(void)
    {
        FCTL2 = FWKEY + FSSEL_2 + FN1;    //默认SMCLK/3
    }

擦除函数

void flash_erase(unsigned int addr)
    {
        unsigned char *paddr;
        paddr = (unsigned char *)addr;
        FCTL1 = FWKEY + ERASE;
        FCTL3 = FWKEY;
        DINT;
        *paddr = 0;
        flash_wait_for_enable();
        EINT;
    }

    void flash_wait_for_enable(void)
    {
        while((FCTL3&BUSY)==BUSY);    //Busy
    }

写入字节

void flash_write_char(unsigned int addr,char data)
    {
        unsigned char * paddr;
        paddr = (unsigned char *)addr;
        FCTL1 = FWKEY + WRT;
        FCTL3 = FWKEY;
        DINT;
        *paddr = data;
        flash_wait_for_enable();
        EINT;
        FCTL1 = FWKEY;
        FCTL3 = FWKEY + LOCK;
    }

读取字

unsigned char flash_read_char(unsigned int addr)
    {
        unsigned char data;
        unsigned char *paddr = (unsigned char *)addr;
        data = *paddr;
        return data;
    }