三星首度揭露2nm量产规划，移动、HPC、车用布局曝光
2023-06-29
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为抢占下一代晶圆代工事业主导权，三星电子（Samsung Electronics）首度曝光2nm量产计划与效能，预定2025年进入量产。另外，三星也公布了“先盖厂房、延后装机”策略（Shell-First Strategy）阶段性进展，引起各界关注。
综合Chosun Biz、Money Today等韩媒消息，三星于美国硅谷举行“三星晶圆代工论坛2023”透露2nm量产计划与其效能。三星规划，2025年以移动设备为中心量产2nm制程（SF2），接着2026年增加高效能运算（HPC）、2027年再扩大至车用半导体领域。
值得注意的是，相较三星第二代3nm制程3GAP（SF3），SF2制程效能提高12%、功耗效率提高25%、面积减少5%。 根据官方此前升级路线，三星更先进的1.4nm工艺要到2027年才能投产了。
三星持续扩张先进晶圆代工服务的同时，为确保投资效率、弹性，过去已多次提及“
先盖厂
房、延后装机”
策
略。
目前，三星正在韩国平泽、美国泰勒（
Taylor
）晶圆代工厂区率先建设半导体清洁室，预计2027年三星清洁室规模将比2021年大7.3倍。
“先盖厂房、延后装机”策略指的是，优先建设半导体生产所须清洁室，再依市场需求，灵活调整设备投资，并可快速确保产能。
虽然三星过去几经调整平泽三厂（P3）产线、美国泰勒市晶圆厂的投资日程，但根据三星最新计划，韩国P3产线预计于2023年下半正式量产；美国泰勒第一条产线将按计划于2023年下半竣工，2024年下半投入使用。此外，继韩国平泽P3、美国泰勒厂之后，三星也将把生产据点扩大到韩国龙仁国家产业园区。
除此之外，三星规划自2025年起生产8寸氮化镓（GaN）功率半导体；另外也看准6G通讯前景，开发5nm射频（RF）制程，预计2025年上半量产；不仅如此，三星宣布成立先进封装协议（Multi Die Integration Alliance；MDI），持续提升封装技术。
高端芯片竞争有多激烈？
另两家半导体制造巨头——台积电与英特尔此前也公布了先进制程的进度。
在一季度的财报分析师电话会议上，台积电CEO魏哲家也谈到了他们的2nm制程工艺，当时他透露2nm制程工艺研发进展顺利，在按计划推进在2025年量产， 时间差不多和三星一样，而英特尔将在2024年下半年同期量产2nm与1.8n m工艺芯片。
除了最新工艺，在三星晶圆代工论坛上，三星表示，为了确保6G的技术先进性，5nm RF（射频）也正开发中，预计2025年上半年开发完成。
相较此前的14nm工艺，5nm RF工艺功效提高40%，面积减少50%，目前量产中的8nm和14nm RF，将扩展到移动、汽车等应用领域。
三星希望在追赶台积电的同时抵御来自英特尔的挑战，后者也在大力发展芯片代工业务。虽然芯片行业整体受制于手机和PC零部件的疲软需求，但人工智能浪潮还是刺激了高端处理器的需求。
来源：网络内容综合
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