东芝第3代SiC肖特基势垒二极管产品线增添1200 V新成员，其将助力工业电源设备实现高效率
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布， 最新推出第3代碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管（SBD）产品线中增添“TRSxxx120Hx系列” 1200 V产品 ，为其面向太阳能逆变器、电动汽车充电站和开关电源等工业设备降低功耗。东芝现已开始提供该系列的十款新产品，其中包括采用TO-247-2L封装的五款产品和采用TO-247封装的五款产品。
最新TRSxxx120Hxx系列为1200 V产品，其采用东芝第3代650 V SiC SBD的改进型结势垒肖特基（JBS）结构 [1] 。在结势垒中使用新型金属，有助于这些新产品实现业界领先的 [2] 1.27 V（典型值）低正向电压、低总电容电荷和低反向电流。这可显著降低较大电源应用中的设备功耗。
东芝将继续壮大其SiC电源器件的产品线，并将一如既往地专注于提高可降低工业电源设备功耗的效率。
● 光伏逆变器
● 电动汽车充电站
● 工业设备UPS的开关电源
特性
● 第3代1200 V SiC SBD
● 业界领先的 [2] 低正向电压：V F ＝1.27 V（典型值）（I F ＝I F(DC ) ）
● 低总电容电荷：TRS20H120H的Q C ＝109 n C（典型值）（V R ＝800 V，f＝1 MH z ）
● 低反向电流：TRS20H120H的I R ＝2.0 μA（典型值）（V R ＝1200 V）
主要规格
（除非另有说明，T a ＝25 °C）
注：
[1]改进型 结势垒肖特基（JBS） 结构：该结构将混合式PiN肖特基（MPS）结构（可在大电流下降低正向电压）整合在JBS结构（不仅可降低肖特基接口的电场，而且还可减少电流泄漏）中。
[2]在1200 V SiC SBD中。截至2024年9月的东芝调查。
点击此处 了解关于新产品TRS10H120H的更多信息。
点击此处 了解关于新产品TRS15H120H的更多信息。
点击此处 了解关于新产品TRS20H120H的更多信息。
点击此处 了解关于新产品TRS30H120H的更多信息。
点击此处 了解关于新产品TRS40H120H的更多信息。
点击此处 了解关于新产品TRS10N120HB的更多信息。
点击此处 了解关于新产品TRS15N120HB的更多信息。
点击此处 了解关于新产品TRS20N120HB的更多信息。
点击此处 了解关于新产品TRS30N120HB的更多信息。
点击此处 了解关于新产品TRS40N120HB的更多信息。
点击此处 了解关于东芝SiC肖特基势垒二极管的更多信息。
点击此处 了解关于东芝第3代SiC肖特基势垒二极管的更多信息。
点击此处 了解关于东芝SiC电源器件的更多信息。
点击此处 了解在线分销商新产品TRS10H120H的供货情况。
点击此处 了解在线分销商新产品TRS15H120H的供货情况。
点击此处 了解在线分销商新产品TRS20H120H的供货情况。
点击此处 了解在线分销商新产品TRS30H120H的供货情况。
点击此处 了解在线分销商新产品TRS40H120H的供货情况。
点击此处 了解在线分销商新产品TRS10N120HB的供货情况。
点击此处 了解在线分销商新产品TRS15N120HB的供货情况。
点击此处 了解在线分销商新产品TRS20N120HB的供货情况。
点击此处 了解在线分销商新产品TRS30N120HB的供货情况。
点击此处 了解在线分销商新产品TRS40N120HB的供货情况。
*其他公司名称、产品名称和服务名称可能是其各自公司的商标。
*本文档中的产品价格和规格、服务内容和联系方式等信息，在公告之日仍为最新信息，但如有变更，恕不另行通知。
关于东芝电子元件及存储装置株式会社
东芝电子元件及存储装置株式会社是先进的半导体和存储解决方案的领先供应商，公司累积了半个多世纪的经验和创新，为客户和合作伙伴提供分立半导体、系统LSI和HDD领域的杰出解决方案。
东芝电子元件及存储装置株式会社十分注重与客户的密切协作，旨在促进价值共创，共同开拓新市场，期待为世界各地的人们建设更美好的未来并做出贡献。
如需了解有关东芝电子元件及存储装置株式会社的更多信息，请点击以下链接进行访问： https://toshiba-semicon-storage.com ，更多官网精彩点击以下图片即可查看！
