英飞凌IPAC直播间 | CoolSiC™碳化硅直播季 - 迎接碳化硅2000V时代
直播介绍
今年3月， 英飞凌推出了市面上第一款击穿电压达到2000V的碳化硅分立器件， 全面开启碳化硅2000V的时代。 最新的2000V CoolSiC™ MOSFET采用TO-247PLUS-4-HCC封装，爬电距离为14mm，电气间隙为5.4mm。作为英飞凌的创新产品，其在直流母线电压表现抢眼，能为1500 VDC系统的过压提供更高的裕量。
英飞凌IPAC“CoolSiC™碳化硅直播季”去年一经上线，备受好评！
5月14日 14：00，今年的碳化硅季正式回归， 首期话题将为您揭开CoolSiC™ MOSFET 2000V的神秘面纱：
▶ 增强型M1H CoolSiC™ MOSFET技术带来哪些产品优势？
▶ 2000V CoolSiC™ 碳化硅分立器件和模块产品各有什么特点？
▶ 如何应对2000V CoolSiC™ MOSFET的驱动挑战？
▶ 2000V CoolSiC™ MOSFET在应用设计时需要关注哪些设计难点？
锁定碳化硅季未来几期，更多福利/惊喜将在直播间呈现：
CoolSiC™ MOSFET 2000V产品评估板首次公开发布售卖，
栅极驱动器重点知识讲解，储能方面的应用……
嘉宾介绍：
波老师：IPAC 常驻主持
沈嵩：碳化硅资深专家 ， 具有丰富的逆变器设计系统经验和功率器件应用知识
赵佳：碳化硅资深专家 ， 长期负责功率半导体产品在新能源等应用技术支持
富昌专属报名通道
▶长按或扫码报名
更多活动
本活动由电源网承办，请遵循电源网报名流程，将有机会获得由电源网准备的以下奖品。（*详情请参照电源网活动报名页）
