SK海力士投1000亿扩产HBM

2024年4月 2 4 日 ， SK海力士（或‘公司’）宣布，为应对用于AI的半导体需求剧增，决定扩充AI基础设施（Infra）的核心产品即HBM等新一代DRAM的生产能力（Capacity） 。

当天，公司通过董事会决议，将建设在韩国忠清北道清州市的M15X定为新的DRAM生产基地，并决定向厂房（Fab）建设投资约5.3万亿韩元。

SK海力士将于本月末开始进行建设工程，计划在2025年11月竣工并开始量产。公司也将依次进行设备投资，从长远来看，计划向M15X投资逾20万亿韩元，由此进一步扩充产能。

SK海力士强调：“作为AI应用的存储器领域全球领先者，公司希望通过向韩国生产基地加大投资，为激活韩国经济动能做出贡献，同时巩固提升‘半导体强国’的地位。”

随着AI时代的来临，半导体业界认为DRAM市场进入了中长期增长时代。公司认为，预计年均增长率高达60%以上的HBM、以面向服务器的高容量DDR5模块为主的普通DRAM产品需求也将持续增加。

在此趋势下，要想确保HBM产品的产量达到与普通DRAM相同的水平，则至少需要相对于普通DRAM至少两倍以上的生产能力。公司认为，提高以HBM为主的DRAM产能是首要课题。

因此，SK海力士决定在龙仁半导体集群的第一座工厂竣工（2027年上半年）之前，在清州M15X厂生产新一代DRAM产品。公司也考虑了M15X厂的地理位置优势，其与正在扩充TSV*生产能力的M15厂相邻，可以进一步优化HBM生产。

* 硅通孔（ TSV，Through Silicon Via）：在DRAM芯片打上 数千个细微的孔，并通过垂直贯通的电极连接上下芯片的技术。

SK海力士推进M15X项目的同时，也将如期进行投入约120万亿韩元的龙仁半导体集群等韩国国内的投资计划。

目前，龙仁半导体集群的用地在建工程进度约为26%，相较于工程目标快3个百分点。公司已完成布局生产设施的用地相关补偿和文化遗产调查工作，电力、用水、道路等基础设施的建设工程也比原计划进行得更快。公司计划在明年3月开工建造龙仁半导体集群第一座工厂，并于2027年5月竣工。

另外，SK海力士的韩国国内投资，在SK集团展开的整个韩国国内投资当中也起到了重要作用。 公司在2012年并入SK集团后从2014年开始总投资46万亿韩元，以利川M14厂为开端，以增建三座工厂的“未来展望”为中心，在韩国持续加码投资。最终，公司在2018年和2021年依次竣工了清州M15厂和利川M16厂，超前实现了未来展望。

公司期待，随之推进的M15X和龙仁集群投资，能够促使韩国成为AI半导体强国，也将成为激发国家经济的牵引力。

SK海力士CEO郭鲁正表示：“M15X将成为向全世界提供AI应用存储器的核心设施，也是公司迈向未来的垫脚石，我确信此次投资不仅有助于公司，还会对国家经济的未来发展做出贡献。”