英飞凌再次荣膺2024年全球电子成就奖，CoolSiC™ MOSFET 2000V功率器件和模块备受瞩目

2024-11-06

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11月5日，英飞凌科技CoolSiC™ MOSFET 2000V碳化硅分立器件以及碳化硅模块(EasyPACK™ 3B封装以及62mm封装)凭借其市场领先的产品设计以及卓越的性能， 荣获2024年全球电子成就奖 （World Electronics Achievement Awards, WEAA） “年度高性能无源/分立器件” （High Performance Passive/Discrete Devices of the Year），再次展现了英飞凌在电力电子领域的技术创新能力和行业领先地位。英飞凌科技工业与基础设施业务产品总监张明丹女士出席本次颁奖典礼。

采用TO-247PLUS-4-HCC封装的CoolSiC™ MOSFET 2000V分立器件，爬电距离为14mm，电气间隙为5.4mm。基于第一代增强型沟槽栅技术，该产品在电压等级上实现了向上拓展，成为市面上首款击穿电压达到2000V的碳化硅分立器件，适用于最高1500 VDC的高直流电压母线系统。凭借.XT扩散焊技术，这款产品可提供一流的散热性能，以及高防潮性，不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求，而且即使面对严格的高电压和开关频率要求，也能确保系统的可靠性。

CoolSiC™ MOSFET 2000V M1H碳化硅采用了增强型M1H Trench SiC MOSFET芯片技术，搭载EasyPACK™ 3B封装和62mm两种封装。其中，DF4-19MR20W3M1HF_B11是第一个采用EasyPACK™ 3B封装的2000V CoolSiC™ MOSFET功率模块，适用于1500V光伏系统。实际应用中，通过使用该产品，两电平可以取代三电平的结构，在轻载下，Boost升压效率提高了1%，而在所有工作条件下，升压效率平均提高了0.5%。它实现了更简单的解决方案，减少了器件的数量，同时提高了功率密度，降低了1500 VDC应用的总系统成本。

62mm CoolSiC™ MOSFET 2000V M1H碳化硅半桥模块，优化了V _GS(th) 、R _DS(on) 漂移和栅极驱动电压范围等SiC MOS关键性能。该产品V _GS(th) 最大正负栅极源极电压分别扩展至+23V和-10V，同时增大了推荐栅极驱动电压的范围,+15...+18V和0...-5V。过载条件下的T _vjop 最高可达175℃，与市场同类产品相比，62mm CoolSiC™ MOSFET 2000V M1H碳化硅半桥模块具备高频、耐高压、耐高温、低损耗、抗辐射能力强等显著优势。

作为全球功率系统的半导体领导者，英飞凌已在产品布局、产能、应用等方面全面涵盖第三代半导体关键材料。在碳化硅方面，英飞凌拥有优异的沟槽栅工艺以及全新的.XT技术，凭借在碳化硅领域长达二十余年的丰富经验和深厚技术积淀，英飞凌无疑是业界最有竞争力的技术供应商之一。未来，英飞凌科技将继续致力于技术创新和产品优化，为全球客户提供更多高性能、高可靠性的产品解决方案，继续推动碳化硅产品、技术在新应用中的的持续发展和创新。