发布时间：2024-09-14

语音合成芯片UM5100基本特点： ①低功耗COMS型工艺制作。 ②使用连续信号8调制器，采用连续可变斜率增量调制(CⅥ、D)方式。 ③UV5100的寻址能力为256k位。 ④语音信号的记录和再生需外接SRAM型或EPRAM型存储器一片。 ⑤UM5100没有工作模式选择，采样速率选择和放音速度的选择，当时钟频率和存储器确定之后，其录音时间和放时间就是固定的。 ⑥基本时钟脉冲由...

发布时间：2024-09-14

基本特点: ①语言录放电路ISD1000A系列按录放存储时间和采样速率的不同分为ISD1012A(12s、 10．6kbps)、ISD1016A(16s、8．0 kbps)、ISD1020A(20s、6．4 kbps)共三种。 ②ISD1000系列语言电路实质是一个模拟数据采集系统，采用DTAS(直接模拟量存储)技术，录放的信息可以直接记录在芯片内部的EEPROM中，因而可...

发布时间：2024-08-16

艾德克斯（ITECH）旗下备受青睐的IT-M3100可编程直流电源系列再添新星，隆重推出全新1000V高压型号。 这款新成员不仅功率覆盖从400W到1500W，更以紧凑设计著称，1U高度、半宽机架，完美适用于实验室和产线系统控制。不仅如此，IT-M3100系列还支持高达256通道的同步控制，大幅提升产线测试效率，堪称灵活高效的测试利器。 此次推出的高压产品共有3个...

发布时间：2024-06-07

强茂推出最新的60V、100V和150V车规级 MOSFET ，此系列专为汽车和工业 电力系统 设计提供优异性能和效率。采用先进沟槽技术设计，与传统标准沟槽设计相比，为60V MOSFET的品质因数（FOM）减少68%、100V减少41%、150V则减少了53%，且显著降低 电容 ，确保了最低的导通和 开关损耗 ，从而提升了整体性能。 新系列 MOSFET 提供多种 封装...

发布时间：2024-06-06

PANJIT 推出最新的60V、100V 和 150V 车规级 MOSFET，此系列通过先进的沟槽技术设计达到优异性能和效率。 此系列 MOSFET 专为汽车和工业电力系统设计，提供优异的品质因数（FOM），显著降低 RDS(ON) 和电容。这确保了最低的导通和开关损耗，从而提升了整体性能。 新系列 MOSFET 提供多种封装，包括DFN3333-8L、DFN506...

发布时间：2024-05-13

近日， 全球领先的MEMS传感技术解决方案供应商美新半导体宣布推出eOIS影像稳定驱动系列新产品MSD4100WA。 该产品一体集成了高精度低噪声硅基线性霍尔传感器，H桥恒流驱动电路及高精度硬件PID算法。 OIS是光学图像防抖稳定系统的简称，在摄像行业有比较广泛的应用，主要作用于数码相机、手机摄像头等，通过物理技术来实现镜头与机身产生抖动方向的补偿，使拍摄画面变...

发布时间：2024-04-02

目标应用包括电信设备、服务器和智能表计的电源，以及LED车灯或汽车低压DC/DC转换器 2024 年 4 月 2 日，中国 – 意法半导体推出可提升高开关频率功率转换器能效的100V沟槽肖特基整流二极管。 随着低开关损耗的宽禁带半导体等技术的广泛应用，设计人员开始提高功率转换器的工作频率，不断刷新功率密度。不过，当开关频率变得更高时，用作整流器的传统平面二极管(...

发布时间：2024-03-08

英飞凌推出PSoC™ 车规级4100S Max系列，支持性能更强大的第五代CAPSENSE™技术 【2024年3月8日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司推出全新车规级PSoC™ 4100S Max系列。这一微控制器器件系列具有更佳的闪存密度、通用输入输出接口（GPIO）、CAN-FD和硬件安全性，扩展了采用CAPSENSE™技术的英飞凌汽车车身/暖通空调（HVAC）和方向...

发布时间：2023-11-23

今年3月，PI InnoSwitch3系列反激式开关IC再添新品，“900V耐压”和“100W输出功率”无疑是最大的亮点。本次，我们将从新品性能、参考设计以及Demo测评三个角度，初步认识本次新品。 新品性能 本次新品具体为针对家电和工业应用的EP系列INN3690C，以及针对汽车应用的AQ系列INN3990CQ。INN3690C/INN3990CQ具备击穿电压高达900V的...

发布时间：2023-07-12

VIPERGAN50、VIPERGAN65和VIPERGAN100是意法半导体VIPerGaN系列中首款高压GAN转换器，可在宽范围工作电压（9 V至23 V）中分别提供50 W、65 W和高达100 W的功率。 我们还推出了EVLVIPGAN100PD，这是我们首款用于USB-PD应用的VIPERGAN100评估板。VIPerGaN器件使用650V氮化镓（GaN）晶体管...