发布时间：2011-11-23

摘要：提出一种新型的6管SRAM单元结构，该结构采用读／写分开技术，从而很大程度上解决了噪声容限的问题，并且该结构在数据保持状态下，采用漏电流以及正反馈保持数据，从而不需要数据的刷新来维持数据。仿真显示了正确的读／写功能，并且读／写速度和普通6管基本相同，但是比普通6管SRAM单元的读／写功耗下降了39％。 关键词：静态噪声容限；漏电流；低功耗；可靠性 0 引言     近4...