发布时间：2024-10-16

作为多年来在无刷电机驱动方案公司工作的硬件工程师，今天给大家讲一下关于MOS管烧毁的原因，文字比较多点，不容易读，希望大家可以认真看完。MOS 管可能会遭受与其他功率器件相同的故障，例如过电压（半导体的雪崩击穿）、过电流（键合线或者衬底熔化）、过热（半导体材料由于高温而分解）。 更具体的故障包括栅极和管芯其余部分之前的极薄氧化物击穿，这可能发生在相对于漏极或者源极的任何过量栅...

发布时间：2024-04-30

0. 引言 随着工控行业对能效与控制精度的追求，及在宽禁带半导体器件应用基础上，电机控制器（驱动器）的开关速度与控制频率越来越高，使得EMI问题成为了行业难题，本文以MOS管逆变桥为例，分析驱动器的干扰源特性，希望能够给大家带来帮助与思考！ 1. 逆变桥波形与共模电流关系 逆变桥DC-AC示意图如下： 共模电流在开管状态为000或111时最大，是由三个管子叠加的...

发布时间：2019-05-07

MOS管的驱动对其工作效果起着决定性的作用。设计师既要考虑减少开关损耗，又要求驱动波形较好即振荡小、过冲小、EMI小。这两方面往往是互相矛盾的，需要寻求一个平衡点，即驱动电路的优化设计。驱动电路的优化设计包含两部分内容：一是最优的驱动电流、电压的波形；二是最优的驱动电压、电流的大小。在进行驱动电路优化设计之前，必须先清楚MOS管的模型、MOS管的开关过程、MOS管的栅极电荷以...

发布时间：2019-04-19

一般认为MOSFET是电压驱动的，不需要驱动电流。然而，在MOS的G S两级之间有结电容存在，这个电容会让驱动MOS变的不那么简单。 如果不考虑纹波和EMI等要求的话，MOS管开关速度越快越好，因为开关时间越短，开关损耗越小，而在开关电源中开关损耗占总损耗的很大一部分，因此MOS管驱动电路的好坏直接决定了电源的效率。 对于一个MOS管，如果把GS之间的电压从0拉...

发布时间：2018-04-04

MOSFET因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。MOSFET的驱动常根据电源IC和MOSFET的参数选择合适的电路。下面一起探讨MOSFET用于开关电源的驱动电路。 在使用MOSFET设计开关电源时，大部分人都会考虑MOSFET的导通电阻、最大电压、最大电流。但很多时候也仅仅考虑了这些因素，这样的电路也许可以正常工作，但并不是一个好的设计方案。更细致的，...

发布时间：2018-03-31

MOSFET因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。MOSFET的驱动常根据电源IC和MOSFET的参数选择合适的电路。下面一起探讨MOSFET用于开关电源的驱动电路。 在使用MOSFET设计开关电源时，大部分人都会考虑MOSFET的导通电阻、最大电压、最大电流。但很多时候也仅仅考虑了这些因素，这样的电路也许可以正常工作，但并不是一个好的设计方案。更细致的，...

发布时间：2014-01-04

从BMOS管的等效电路（图1-19）可以看出，VMOS管的输入端是电容性的，其动态输入阻抗与静态输入阻抗有很大的差别，直流输入阻抗极高，但交流输入阻抗随频率而变化，由于这个原因，VMOS管的上升时间和下降时间与驱动电路的输出阻抗有关 ...

发布时间：2014-01-04

VMOS管桥式电路如图1-29所示，它由四只VMOS管组成，是一种很有用的电路。在这种电路中，可方便地采用脉冲变压器驱动方式。 ...

发布时间：2013-12-18

如果驱动高压 MOS管 ，我们需要采用变压器驱动的方式和集成的高边开关。 这两个解决方案都有自己的优点和缺点，适合不同的应用。 集成高边 驱动 器方案很方便，优点是电路板面积较小，缺点是有很大的导通和关断延迟。 变压器 耦合解决方案的优点是延迟非常低，可以在很高的压差下工作。常它需要更多，缺点是需要很多的元件并且对变压器的运行有比较深入的认识。 变压器常见问题和与MOS管驱...

发布时间：2013-11-21

在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计也是不允许的。 下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料，非全部原创。包括MOS管的介绍，特性，驱动以及应用电路。 1，MOS管种类和结构...