发布时间：2010-05-07

      飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 为满足便携产品设计人员不断寻求效率更高、外形更小更薄的解决方案的需求，推出采用超紧凑、薄型(1.6mm x 1.6mm x 0.55mm)封装的高性能MicroFET MOSFET产品系列。       设计人员使用这一行业领先的产品系列，能够挑选最适合其应用和设计需求的MicroFET MOS...

发布时间：2009-11-20

      飞兆半导体公司(Farichild Semiconductor)宣布其MicroFET现推出行业领先的薄型封装版本，帮助设计人员提升其设计性能。飞兆半导体与设计工程师和采购经理合作，开发了集成式P沟道PowerTrench® MOSFET与肖特基二极管器件FDFMA2P859T，利用单一封装解决方案，满足对电池充电和功率多工(power-multiplexing)...

发布时间：2009-11-20

      飞兆半导体公司(Farichild Semiconductor)宣布其MicroFET现推出行业领先的薄型封装版本，帮助设计人员提升其设计性能。飞兆半导体与设计工程师和采购经理合作，开发了集成式P沟道PowerTrench® MOSFET与肖特基二极管器件FDFMA2P859T，利用单一封装解决方案，满足对电池充电和功率多工(power-multiplexing)...

发布时间：2009-03-20

      专业提供可提升能效的高性能产品全球领先供应商飞兆半导体公司推出FDMA1024NZ和FDMA410NZ 双N沟道和单N沟道MOSFET器件，可为手机、电动牙刷和须刨等应用延长电池寿命。       这两款产品采用具有高热效的2mm x 2mm x 0.8mm MicroFET MLP封装，适用于空间受限的应用，提供出色的功耗和超低RDS(ON) ，能大大延长电...

发布时间：2008-11-21

飞兆半导体公司 ( Fairchild Semiconductor ) 推出全新超薄的高效率 MicroFET 产品 FDMA1027 ，满足现今便携应用的尺寸和功率要求。 FDMA1027 是 20V P 沟道 PowerTrench ® MOSFET ， FDFMA2P853 则是 20V P 沟道 PowerTrench ® MOSFET ，带有肖特基二极管，并...

发布时间：2007-11-19

飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出MicroFET功率开关产品FDMJ1023PZ和FDFMJ2P023Z，适用于充电、异步DC/DC和负载开关等低功耗 ( 和降低66% 的热阻。FDMJ1023PZ和FDFMJ2P023Z采用飞兆半导体先进的PowerTrench 技术，封装为2.0mm x 1.6mm SC-75，较3 x 3mm S...

发布时间：2007-06-05

业界最广泛面向低压应用的 MicroFET系列又添 7款新产品 飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出7款全新MicroFET产品，为面向30V 和20V以下低功耗应用业界最广泛的小外形尺寸器件系列增添新成员。这些MicroFET产品在单一器件中结合飞兆半导体先进的PowerTrench和封装技术，比较传统的MOSFET在性能和空间方面带来...