发布时间：2022-05-30

高性能半导体极紫外（EUV）探测器是新一代EUV光刻机、等离子体物理、太阳活动观测，以及系列大科学装置等领域所急需的关键部件。EUV探测器主要针对10-121 nm极紫外谱段光波的剂量与能量探测，由于EUV光子在半导体材料中的穿透深度极浅且光子能量高，导致传统Si基紫外探测器在EUV波段的探测效率偏低且器件性能极易发生退化。因此，研制探测效率高、抗辐射能力强和温度稳定性好的新...

发布时间：2019-11-25

目标 本实验活动的目的是测量反向偏置PN结的容值与电压的关系。 背景知识 PN结电容 增加PN结上的反向偏置电压VJ会导致连接处电荷的重新分配，形成耗尽区或耗尽层（图1中的W）。这个耗尽层充当电容的两个导电板之间的绝缘体。这个W层的厚度与施加的电场和掺杂浓度呈函数关系。PN结电容分为势垒电容和扩散电容两部分。在反向偏置条件下，不会发生自由载流子注入；因此，扩...

发布时间：2017-12-14

电子网消息，据湖南大学报到，近年来，二维层状半导体由于其新奇的物理和结构性质，显示出具有应用于下一代电子与光电集成系统的极大潜能。相较于单纯的二维材料，二维层状材料的异质结由于具有原子层厚度的陡峭界面，以及可调控的能带排列结构，更适合实现多功能的片上集成，引起了广泛关注。然而，现有的研究大多都停留在采用机械剥离再堆垛的方法得到垂直异质结，而这种方法由于得到的异质结形状尺寸不可...

发布时间：2013-10-12

　　综合电流注入效率、辐射发光量子效率、芯片外部光取出效率等，最终大概只有30-40%的输入电能转化为光能，其余60-70%的能量主要以非辐射复合发生的点阵振动的形式转化热能。 　　而芯片温度的升高，则会增强非辐射复合，进一步消弱发光效率。因为，人们主观上认为大功率 LED 没有热量，事实上确有。大量的热，以至于在使用过程中发生问题。加上很多初次使用大功率LED的人，对热问题...

发布时间：2012-05-02

与传统光源相比，LED光源为固体冷光源，具有寿命长，光效高，无辐射，功耗低，抗冲击和抗震性能好，可靠性高等特性。在全球提倡绿色照明的今天，LED作为新型绿色照明光源受到全球的追捧。然而，在LED高速发展的同时，如何进一步提高LED的寿命及可靠性确是迫在眉睫的事。本文从理论和实验出发，研究并分析了温度对LED性能的影响，从而提出可以提高LED的寿命和可靠性问题的方法。 1...

发布时间：2012-04-09

0 引言     近年来，随着对散粒噪声研究的不断深入，人们发现散粒噪声可以很好地表征纳米器件内部电子传输特性。由于宏观电子元器件中也会有介观或者纳米尺度的结构，例如：势垒、缺陷、小孔隙和晶粒等，因而也会产生散粒噪声，并且可能携带内部结构的信息。这使人们对宏观电子元器件中散粒噪声研究产生了极大的兴趣。另一方面，随着器件尺寸的不断缩小，器件中散粒噪声成分也越来越显著，已经严重影...

发布时间：2011-08-22

　　我们经常会碰到 LED 不亮的情况，封装企业、应用企业以及使用的单位和个人，都有可能碰到，这就是行业内的人说的死灯现象。究其原因不外是两种情况： 　　其一，LED的漏电流过大造成 PN结 失效，使 LED灯 点不亮，这种情况一般不会影响其它的LED灯的工作； 　　其二，LED灯的内部连接引线断开，造成LED无电流通过而产生死灯，这种情况会影响其它的LED灯的正常工...

发布时间：2011-08-19

当反向电压增大到一定值时，PN结的反向电流将随反向电压的增加而急剧增 加，这种现象称为PN结的击穿，反向电流急剧增加时所对应的电压称为反向击穿电压，如上图所示， PN结的反向击穿有雪崩击穿和齐纳击穿两种。 1、雪崩击穿：阻挡层中的载流子漂移速度随内部电场的增强而相应加快到一定程度时，其动能足以把束缚在共价键中的价电子碰撞出来，产生自由电 子—空穴对新产生的载流子在强电场作用下...

发布时间：2011-08-15

当P型和N型半导体材料结合时，P 型（ N型）材料中的空穴（电子）向N 型（ P 型）材料这边扩散，扩散的结果使得结合区形成一个势垒，由此而产生的内电场将阻止扩散运动的继续进行，当两者达到平衡时，在PN结两侧形成一个耗尽区。 当PN结反偏时，外加电场与内电场方向一致，耗尽区在外电场作用下变宽，使势垒加强；当PN结正偏时，外加电场与内电场方向相反，耗尽区在外加电场作用下...

发布时间：2011-07-21

　　 LED芯片 是由：P层 半导体 元素，N层半导体元素靠电子 移动 而重新排列组合成的 PN结 合体。LED芯片是五大原物料：芯片，支架，银胶，金线，环氧树脂中最重要的组成部分。 　　主要由：金垫、P极、N极、PN结、背金层构成(双pad芯片无背金层)组成。 　　我们先来初步瞭解LED芯片的发光原理：在芯片被一定的电压施加正向电极时，正向P区的空穴则会源源不断的游向...