发布时间：2022-06-22

1、MOS的三个极怎么判定 MOS管符号上的三个脚的辨认要抓住关键地方。 G极，不用说比较好认。S极，不论是P沟道还是N沟道，两根线相交的就是。D极，不论是P沟道还是N沟道，是单独引线的那边。 2、如何区分场效应管是N沟道还是P沟道 答：在电路图中N沟道的MOS管箭头是向内侧指向，P沟道的箭头是向外侧指向的。 N沟道的测量方法是：万用表打到二极管档，红表笔...

发布时间：2021-04-07

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）推出通过AEC-Q101认证、全球先进的p沟道80 V TrenchFET® MOSFET---SQJA81EP。新型Vishay Siliconix SQJA81EP导通电阻达到80 V p沟道器件优异水平，可提高汽车应用功率密度和能效。SQJA81EP采用欧翼引线结构5.13 mm...

发布时间：2021-01-11

1月11日 ，日前，Vishay Intertechnology, Inc. 宣布，推出新款通过AEC-Q101认证的100 V p沟道TrenchFET® MOSFET---SQJ211ELP，用以提高汽车应用功率密度和能效。Vishay Siliconix SQJ211ELP不仅是业内首款鸥翼引线结构5 mm x 6 mm 紧凑型PowerPAK® SO-8L封装器件，而...

发布时间：2021-01-11

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款通过AEC-Q101认证的100 V p沟道TrenchFET® MOSFET---SQJ211ELP，用以提高汽车应用功率密度和能效。Vishay Siliconix SQJ211ELP不仅是业内首款鸥翼引线结构5 mm x 6 mm 紧凑型PowerPAK® SO-8...

发布时间：2020-08-17

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，首度推出-30 V p沟道功率MOSFET---SiRA99DP，10 V条件下导通电阻降至1.7 mW。Vishay Siliconix TrenchFET®第四代SiRA99DP导通电阻达到业内最低水平，采用热增强型6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK® SO...

发布时间：2020-05-08

半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家 Nexperia 宣布首次采用高鲁棒性、高空间利用率的LFPAK56 (Power-SO8)封装的P沟道MOSFET系列产品。新器件符合AEC-Q101标准，适合汽车应用，可作为DPAK MOSFET的理想替代产品，在保证性能的基础上，将封装占位面积减少了50%以上。 新系列产品在30 V至60 V工作电压范围内可供选择，导通电阻RD...

发布时间：2020-02-11

日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出新型-30 V p沟道TrenchFET®第四代功率MOSFET---SiSS05DN，器件采用热增强型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212-8S封装，10 V条件下导通电阻达到业内最低的3.5 mW。于此同时，导通电阻与栅极电荷乘积，即MOSFET在开关应用的重要优值系数（FOM）为1...

发布时间：2019-03-07

汽车级器件导通电阻低至4.4 mW，采用业内超薄鸥翼引线结构5 mm x 6 mm紧凑型PowerPAK® SO-8L封装 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款30 V和40 V汽车级p沟道TrenchFET®功率MOSFET---SQJ407EP和SQJ409EP，采用鸥翼引线结构PowerPAK® SO-8L封装，有效提升板级可...

发布时间：2016-12-22

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发布时间：2014-01-23

    日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出具有业内最低导通电阻的新款P沟道MOSFET---Si7157DP，扩充其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix Si7157DP在-10V和-4.5V电压下的导通电阻分别低至0.0016Ω和0.0020Ω，可提高...