发布时间：2023-03-17

据TrendForce 集邦咨询发布报告称，随着 安森美 、 英飞凌 等与汽车、能源厂商合作项目明朗化，将推动 2023 年整体 SiC 功率元件市场产值达 22.8 亿美元（IT之家注：当前约 158.69 亿元人民币），同比增长 41.4%。 报告指出，第三代 半导体 包括碳化硅（SiC）与 氮化镓 （GaN），整体产值又以 SiC 占 80% 为重。SiC 适合...

发布时间：2018-08-03

市场研究单位Yole Développement(Yole)指出，碳化硅(SiC)电力电子产业发展具高度潜力，包括ROHM、Bombardier、Cree、SDK、STMicroelectronics、Infineon Technologies、Littelfuse、Ascatron等厂商都大力投入。Yole预测到2023年SiC功率半导体市场规模预计将达14亿美元，201...

发布时间：2016-08-11

众人皆知，由于半导体制程的不断精进，数位逻辑晶片的电晶体密度不断增高，运算力不断增强，使运算的取得愈来愈便宜，也愈来愈轻便，运算力便宜的代表是微电脑、个人电脑，而轻便的成功代表则是笔电、智慧型手机、平板。 GaN、SiC、Si电源配接电路比较图 (source：www.nedo.go.jp) 不过，姑且不论摩尔定律（Moors Law）能否持续下去，有...

发布时间：2015-02-05

日本车厂丰田(Toyota)期望藉由碳化矽(silicon carbide，SiC)功率元件，显着提升混合动力与其他采用电动传动系统的车辆之效率，并宣布最快在今年展开采用SiC元件的原型车道路测试。 Toyota将在一款Camry原型车以及一款燃料电池巴士上，搭载采用SiC元件的动力控制单元(power control units，PCU)；PCU在混合动力与电动车内控制...

发布时间：2014-09-29

碳化矽(SiC)功率元件应用将开枝散叶。市调机构Yole Developpement指出，2013年全球碳化矽功率元件产值约70%系来自功率因数校正器(PFC)和太阳能逆变器(Inverter)。预估至2020年，碳化矽元件应用触角将扩大延伸至不断电系统(UPS)、马达控制、电网、风力发电系统、电动车/混合动力车逆变器，以及轨道运输系统等领域，其中，马达控制与电动车的成长尤...

发布时间：2014-01-17

高品质的150mm口径SiC基板已经实现。我们将利用这种基板，在2015年投产“沟道型” SiC  MOSFET’。 在‘CEATEC JAPAN 2013’上，电装展示了SiC的相关技术(图1)。其中包括了两大‘惊喜’。一是电装宣布 SiC 功率元件将在2015年实用化。在此之前，SiC功率 元件 的成果虽然频繁出现在学会和展会等场合，但大家对於实用化的时间表都讳莫如深。 ...

发布时间：2013-09-21

　　碳化硅（SiC）功率元件正快速在太阳能（PV）逆变器应用市场攻城掠地。SiC功率元件具高频和耐高温特性，不仅可较传统硅功率半导体，提供更高的电源转换效率，更可减少所需的电容和感测器数量，已吸引愈来愈多太阳能逆变器制造商青睐。 　　以宽能隙（Wide Bandgap， WBG）半导体碳化硅（SiC）制造的功率元件（Power Device），相当适合高功率、高频率及高温环...

发布时间：2012-04-22

　　基板成本也较低 　　采用β-Ga2O3制作基板时，可使用“FZ（floating zone）法”及“EFG（ edge -definedfilm-fed growth）法”等溶液生长法，这也是其特点之一（图4）。溶液生长法容易制备结晶缺陷少、口径大的单结晶，因此能够以低成本轻松量产基板。实际上是利用FZ法或EFG法制备单结晶，然后将结晶切成薄片，以此来制造基板。 ...

发布时间：2012-04-22

　　与S iC 和GaN相比，β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐压且低损失的 功率 半导体 元件 ，因而引起了极大关注。契机源于日本信息 通信 研究机构等的研究小组开发出的β-Ga2O3 晶体管 。下面请这些研究小组的技术人员，以论文形式介绍一下β-Ga2O3的特点、研发成果以及今后的发展。 　　我们一直在致力于利用氧化镓（Ga2O3）的功率半导体元件（以下简称功率元件...